JAJSKF7B December 2020 – November 2025 TPS7B87-Q1
PRODUCTION DATA
デバイスには、パス トランジスタの接合部温度
(TJ) が TSD(shutdown) (標準値) まで上昇したときにデバイスを無効化するサーマル シャットダウン保護回路が内蔵されています。サーマル シャットダウン ヒステリシスにより温度が TSD(reset) (標準値) まで低下すると、デバイスがリセットされます (オンになります)。
半導体ダイの熱時定数はかなり短いため、消費電力が減少するまでの間、サーマル シャットダウンに達した場合に本デバイスはサイクルのオンとオフを行うことができます。起動時の電力損失は、デバイス両端で VIN と VOUT 間の大きな電圧降下が発生するか、または大容量の出力コンデンサを充電する高い突入電流によって、高くなる場合があります。条件によっては、サーマル シャットダウン保護機能により、起動が完了する前にデバイスが無効化されることがあります。
信頼性の高い動作を実現するには、接合部温度を推奨動作条件表に記載された最大値に制限します。この最大温度を超えて動作すると、デバイスは動作仕様を超えます。本デバイスの内蔵保護回路は全体的な熱条件から保護するように設計されていますが、この回路は適切なヒート シンクの代わりとなるものではありません。デバイスをサーマル シャットダウン状態、または推奨される最大接合部温度を上回る状態で使用し続けると、長期的な信頼性が低下します。