JAJA723B November   2022  – August 2025 MSPM0G1105 , MSPM0G1106 , MSPM0G1107 , MSPM0G1505 , MSPM0G1506 , MSPM0G1507 , MSPM0G3105 , MSPM0G3106 , MSPM0G3107 , MSPM0G3505 , MSPM0G3506 , MSPM0G3507 , MSPM0L1105 , MSPM0L1106 , MSPM0L1227 , MSPM0L1227-Q1 , MSPM0L1228 , MSPM0L1228-Q1 , MSPM0L1303 , MSPM0L1304 , MSPM0L1304-Q1 , MSPM0L1305 , MSPM0L1305-Q1 , MSPM0L1306 , MSPM0L1306-Q1 , MSPM0L1343 , MSPM0L1344 , MSPM0L1345 , MSPM0L1346 , MSPM0L2227 , MSPM0L2227-Q1 , MSPM0L2228 , MSPM0L2228-Q1

 

  1.   1
  2.   概要
  3.   商標
  4. 1MSPM0 製品ラインアップの概要
    1. 1.1 はじめに
    2. 1.2 STM32 MCU と MSPM0 MCU の製品ラインアップの比較
    3. 1.3 STM32 MCU と MSPM0 MCU の製品ピン間の比較
  5. 2エコシステムと移行
    1. 2.1 ソフトウェア・エコシステムの比較
      1. 2.1.1 MSPM0 ソフトウェア開発キット (MSPM0 SDK)
      2. 2.1.2 CubeIDE と Code Composer Studio IDE (CCS) の比較
      3. 2.1.3 CubeMX と SysConfig の比較
    2. 2.2 ハードウェア エコシステム
    3. 2.3 デバッグ ツール
    4. 2.4 移行プロセス
    5. 2.5 移行と移植の例
  6. 3コア・アーキテクチャの比較
    1. 3.1 CPU
    2. 3.2 組み込みメモリの比較
      1. 3.2.1 フラッシュの特長
      2. 3.2.2 フラッシュの構成
      3. 3.2.3 内蔵 SRAM
    3. 3.3 電源投入とリセットの概要と比較
    4. 3.4 クロックの概要と比較
    5. 3.5 MSPM0 の動作モードの概要と比較
    6. 3.6 割り込みとイベントの比較
    7. 3.7 デバッグとプログラミングの比較
  7. 4デジタル・ペリフェラルの比較
    1. 4.1 汎用 I/O (GPIO、IOMUX)
    2. 4.2 UART (Universal Asynchronous Receiver-Transmitter)
    3. 4.3 シリアル・ペリフェラル・インターフェイス (SPI)
    4. 4.4 I2C
    5. 4.5 タイマ (TIMGx、TIMAx)
    6. 4.6 ウィンドウ付きウォッチドッグ タイマ (WWDT)
    7. 4.7 リアルタイム クロック (RTC)
  8. 5アナログ・ペリフェラルの比較
    1. 5.1 A/D コンバータ (ADC)
    2. 5.2 コンパレータ (COMP)
    3. 5.3 D/A コンバータ (DAC)
    4. 5.4 オペアンプ (OPA)
    5. 5.5 基準電圧 (VREF)
  9. 6まとめ
  10. 7参考資料
  11. 8改訂履歴

3.2.1 フラッシュの特長

MSPM0 および STM32G0 ファミリの MCU には、実行可能なプログラム コードとアプリケーション データの保存に使用される不揮発性フラッシュ メモリが搭載されています。

表 3-2 フラッシュ機能の比較
特長STM32G0MSPM0
フラッシュ メモリ

STM32G0B1xx、G0C1xx (最大 512KB)

STM32G071xx、G081xx (最大 128KB)

STM32G031xx、G041xx、G051xx、G061xx (最大 64KB)

MSPM0Gxx の範囲は 512KB～32KB です

MSPM0Lxx の範囲は 256KB～8KB です

MSPM0Cxx の範囲は 64KB～8KB です

MSPM0Hxx の範囲は 64KB～8KB です

メモリ構成

1 バンク – 最大 128KB のデバイス

2 バンク – 128KB を超えるデバイス

1 バンク – 最大 256KB のデバイス

2 バンク – 256KB を超えるデバイス

フラッシュのウェイト状態

0 (HCLK ≤ 24MHz)

1 (HCLK ≤ 48MHz)

2 (HCLK ≤ 64MHz)

0 (MCLK、CPUCLK ≤ 24MHz)

1 (MCLK、CPUCLK ≤ 48MHz)

2 (MCLK、CPUCLK ≤ 80MHz)

フラッシュ ワード サイズ64 ビット + 8 個の ECC ビット64 ビット + 8 個の ECC ビット
プログラミング分解能シングル ワード サイズシングル ワード、32、16、または 8 ビット (バイト)
マルチワード プログラミング32 ワード (256 バイト)2、4、8 ワード (最大 64 バイト)
消去

ページ サイズ = 2KB

バンク消去 (シングル バンク)

大量消去 (すべてのバンク)

セクター サイズ = 1KB

バンク消去 (最大 256KB)

書き込み保護あり (バンクごとに 2 つの書き込み保護領域)あり、静的と動的
読み取り保護ありあり
フラッシュ メモリの読み取り動作64 ビットのフラッシュ ワード サイズと 8 個の ECC ビット同一 - オプションの ECC が存在する場合
フラッシュ メモリの書き込み動作64 ビットのフラッシュ ワード サイズと 8 個の ECC ビット同一 - オプションの ECC が存在する場合
エラー コード訂正 (ECC)64 ビットの場合は 8 ビット同一 - オプションの ECC が存在する場合
保護可能なメモリ領域あり、メイン メモリなし
Info メモリありあり (NONMAIN)
OTP データ領域1KBなし
事前読み取りありあり
CPU 命令キャッシュ

2 つの 64 ビット キャッシュ ライン (16 バイト)

4x 32 ビット命令群、または

8x 16 ビットの命令群

MSPM0Gx：

4 つの 64 ビット キャッシュ ライン (32 バイト) 8x 32 ビット命令群、または

16x 16 ビットの命令群

MSPM0Lx/Cx/Hx：

2 つの 64 ビット キャッシュ ライン 4x 32 ビット命令群、または

8x 16 ビットの命令群

前の表に示したフラッシュ メモリ機能に加えて、MSPM0 フラッシュ メモリには以下の機能もあります。

  • 電源電圧範囲全体にわたって、インサーキット プログラムと消去がサポートされています
  • 内部プログラミング電圧の生成
  • EEPROM エミュレーションは、フラッシュ メモリの下位 32KB で最大 100,000 回のプログラム / 消去サイクルをサポートし、残りのフラッシュ メモリで最大 10,000 回のプログラム / 消去サイクルをサポート (32KB のデバイスはフラッシュ メモリ全体で 100,000 サイクルをサポート)