JAJAA04A June   2023  – September 2025 AFE11612-SEP , OPA4H199-SEP

 

  1.   1
  2.   概要
  3.   商標
  4. 1 LDMOS および GaN パワー アンプ FET PA の基礎
  5. 2 VGS 補償
  6. 3 シーケンシング
  7. 4 統合型 PA バイアス ソリューション
  8. 5 GaN PA の負バイアス印加
  9. 6 TDD アプリケーション向けの高速スイッチング
  10. 7 VDRAIN スイッチング回路
  11. 8 制御されたゲート シーケンス回路
  12. 9 VDRAIN 監視
  13. 10外部負電源監視
  14. 11PA 温度のモニタリング
  15. 12まとめ
  16. 13参考資料
  17. 14改訂履歴

10 外部負電源監視

VGS の電位が大きすぎると、GaN PA が損傷する可能性があり、その結果、PA が飽和する可能性があります。VSS 電源が低下すると、差動オペアンプの出力は 0V まで下降します。したがって、電圧低下事象が発生していないか VSS 電源を監視することが重要です。監視は、デバイスのアナログ電源に使われる 5V などの外部リファレンス電圧をバイアスとした単純な抵抗分圧回路で実現できます。外部 5V 電源が失われた際の保護強化のために、ツェナー ダイオードを挿入することが可能です。

VSS 監視回路図 10-1 VSS 監視回路