JAJAA04A June   2023  – September 2025 AFE11612-SEP , OPA4H199-SEP

 

  1.   1
  2.   概要
  3.   商標
  4. LDMOS および GaN パワー アンプ FET PA の基礎
  5. VGS 補償
  6. シーケンシング
  7. 統合型 PA バイアス ソリューション
  8. GaN PA の負バイアス印加
  9. TDD アプリケーション向けの高速スイッチング
  10. VDRAIN スイッチング回路
  11. 制御されたゲート シーケンス回路
  12. VDRAIN 監視
  13. 10外部負電源監視
  14. 11PA 温度のモニタリング
  15. 12まとめ
  16. 13参考資料
  17. 14改訂履歴

VGS 補償

IDS は PA の温度に依存します。温度ドリフトによる IDS の変動により、システム内の他の 2 つの変数の 1 つを調整して PA を補償する必要が生じます:VDRAIN または VGS です。VDRAIN の調整がさまざまな RF アプリケーションで実装される理由は多数ありますが、出力電力の応答は、図 1-2 に示すように、VDRAIN 電圧の変化に比べて最小限です。VGS を調整することで、応答時間が短くなり、出力電力の合計振幅となるため、温度補償やその他のアプリケーションにもっと実用的に使えます。

 GaN PA VGS バイアス電圧と温度との関係により、一定の IDS を維持し図 2-1 GaN PA VGS バイアス電圧と温度との関係により、一定の IDS を維持し

図 2-1 は、熱ドリフトにより IDS を安定させるために VGS を調整する必要があることを示しています。これらの PA を利用するアプリケーションでは、アンテナ システムの出力が厳密に制御されるよう、この種の補償を実装する必要があります。VGS 補償は、PA の温度を測定するか、電流シャントを使用して IDS を測定し、それに応じて VGS を調整することで実装できます。