JAJSDE9B June   2017  – July 2024 UCC27212

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 電気的特性
    6. 5.6 スイッチング特性
    7. 5.7 タイミング図
    8. 5.8 代表的特性
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1 入力段
      2. 6.3.2 低電圧誤動作防止 (UVLO)
      3. 6.3.3 レベル シフト
      4. 6.3.4 ブート ダイオード
      5. 6.3.5 出力段
    4. 6.4 デバイスの機能モード
  8. 7 アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
    2. 7.2 代表的なアプリケーション
      1. 7.2.1 設計要件
      2. 7.2.2 詳細な設計手順
        1. 7.2.2.1 電力散逸
      3. 7.2.3 アプリケーション曲線
  9. 8 電源に関する推奨事項
  10. 9 レイアウト
    1. 9.1 レイアウトのガイドライン
    2. 9.2 レイアウト例
      1. 9.2.1 熱に関する注意事項
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 デバイス サポート
      1. 10.1.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 10.2 ドキュメントのサポート
      1. 10.2.1 関連資料
    3. 10.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 10.4 サポート・リソース
    5. 10.5 商標
    6. 10.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 10.7 用語集
  12. 11改訂履歴
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

6.1 概要

UCC27212 デバイスは、ハーフおよびフルブリッジまたは同期整流降圧の構成で、N チャネル MOSFET のハイサイドとローサイドの両方を駆動するよう設計されています。このフローティング ハイサイド ドライバは、最大 120V で動作でき、これにより、ハーフブリッジ、フルブリッジ、プッシュプル、2 スイッチ フォワード、アクティブ クランプ フォワードのコンバータで N チャネル MOSFET 制御が可能になります。

UCC27212 デバイスは、3.7A ソースおよび 4.5A シンク能力、業界最高のスイッチング特性や、表 6-1 に示すその他の多くの機能を備えています。これらの機能を組み合わせることで、高周波スイッチング電源回路で効率的で堅牢、信頼性の高い動作を実現します。

表 6-1 UCC27212 の特長
機能利点
3.7A ソースおよび 4.5A シンク電流最小の電力損失で大電力 MOSFET を駆動するのに理想的な大ピーク電流 (ミラー プラトーで高速駆動可能)
入力ピン (HI および LI) は -10VDC〜20VDC を直接処理可能堅牢性およびアンダーシュート / オーバーシュート対処能力の向上により、整流ダイオードの使用を必要とせずにゲート駆動トランスと直接インターフェイスが可能。
120V 内部ブート ダイオード電気通信の 100V サージ要件を満たす電圧マージンを実現
スイッチ ノード (HS ピン) は -(24 - VDD)V の最大電圧に 100ns 間耐えることが可能ハイサイド チャネルに対して寄生インダクタンスや浮遊容量によって生じる固有の負電圧からの追加保護が可能
電圧スパイクに対処する堅牢な ESD 回路dV/dT が大きい条件に対する優れた耐性
伝搬遅延 20ns、立ち上がり時間 7.2ns、立ち下がり時間 5.5nsクラス最高のスイッチング特性と非常に小さいパルス伝送歪み
チャネル間遅延マッチング：4ns (標準値)ブリッジ内のトランスのボルト秒オフセットを回避
対称型 UVLO 回路ハイサイドとローサイドの同時シャットダウンを保証します
ヒステリシスが大きい TTL 最適化スレッショルドアナログまたはデジタル PWM コントローラを補完、ヒステリシスの増大によりノイズ耐性を向上

UCC27212 デバイスには、ハイサイドとローサイドに個別の入力があり、アプリケーションの入力制御信号の柔軟性を最大限に許容します。ハイサイド ドライバ バイアス電源用のブート ダイオードは、UCC27212 に内蔵されています。UCC27212 は TTL またはロジック互換バージョンです。ハイサイド ドライバはスイッチ ノード (HS) を基準とします。このスイッチ ノードは通常、ハイサイド MOSFET のソース ピン、ローサイド MOSFET のドレイン ピンです。ローサイド ドライバは VSS を基準としており、通常はグランドです。UCC27212 の機能は、入力段、UVLO 保護、レベル シフト、ブート ダイオード、出力ドライバ段に分割されています。