JAJSIO9F March   2014  – July 2025 TPS25200

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 電気的特性
    6. 5.6 タイミング要件
    7. 5.7 代表的特性
  7. 6 パラメータ測定情報
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 イネーブル
      2. 7.3.2 温度検出
      3. 7.3.3 過電流保護
      4. 7.3.4 FAULT 応答
      5. 7.3.5 出力放電
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 低電圧誤動作防止 (UVLO)
      2. 7.4.2 過電流保護 (OCP)
      3. 7.4.3 過電圧クランプ (OVC)
      4. 7.4.4 過電圧誤動作防止 (OVLO)
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1 設計手順
        2. 8.2.2.2 入力および出力容量
        3. 8.2.2.3 電流制限スレッショルドのプログラミング
        4. 8.2.2.4 最小電流制限を超える設計
        5. 8.2.2.5 最大電流制限を下回る設計
        6. 8.2.2.6 許容損失と接合部温度
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
    3. 8.3 電源に関する推奨事項
    4. 8.4 レイアウト
      1. 8.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.4.2 レイアウト例
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 ドキュメントのサポート
      1. 9.1.1 関連資料
    2. 9.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 9.3 サポート・リソース
    4. 9.4 商標
    5. 9.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 9.6 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

8.2.2.2 入力および出力容量

入力および出力容量は本デバイスの性能を向上させます。特定のアプリケーションに対して実際の容量を最適化する必要があります。用途にかかわらず、局所的なノイズ デカップリングのため、IN と GND の間に 0.1μF 以上のセラミック バイパス コンデンサを本デバイスにできる限り近づけて配置することを推奨します。

VIN が 7.6V を超えてランプ アップすると、t(OVLO_off_delay) 後に TPS25200 により内部 MOSFET がオフになるまで、VOUT は VIN に追従します。t(OVLO_off_delay) は VIN ランプ レートに大きく依存するため、VOUT でピーク電圧が観測されます。図 8-3 に示すように、出力キャパシタンスを大きくすると、出力ピーク電圧を低下させることができます。

TPS25200 VOUT のピーク電圧と COUT の関係 (VIN ステップ：ランプ アップ レート 1-V/μs で 5V ～ 15V)図 8-3 VOUT のピーク電圧と COUT の関係 (VIN ステップ：ランプ アップ レート 1-V/μs で 5V ～ 15V)