JAJSJ66F May 2004 – April 2025 UCC2813-0-Q1 , UCC2813-1-Q1 , UCC2813-2-Q1 , UCC2813-3-Q1 , UCC2813-4-Q1 , UCC2813-5-Q1
PRODUCTION DATA
図 7-2 に示されている自己バイアス型のアクティブ Low クランプ回路は、問題となる MOSFET のターンオンを防止します。UVLO 中に PWM 出力電圧が上昇すると、P チャネル デバイスがより大きな N チャネル スイッチをオンに駆動し、出力電圧を低くクランプします。この回路への電力は、外部から上昇してくるゲート電圧によって供給されるため、低電圧ロックアウト (UVLO) 中でも、デバイスの電源電圧に関係なく完全な保護が提供されます。
図 7-2 UVLO 中に内部回路を Low に保持
図 7-3 UVLO 時の OUT 電圧と OUT 電流との関係