JAJSNG5AB June   2000  – October 2025 SN74LVC1G06

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 電気的特性
    6. 5.6 スイッチング特性：-40°C ～ +85°C
    7. 5.7 スイッチング特性：-40°C ～ +125°C
    8. 5.8 動作特性
    9. 5.9 代表的特性
  7.   パラメータ測定情報
  8. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1 CMOS オープン ドレイン出力
      2. 6.3.2 標準 CMOS 入力
      3. 6.3.3 負のクランプ ダイオード
      4. 6.3.4 部分的パワー ダウン (Ioff)
      5. 6.3.5 過電圧許容入力
    4. 6.4 デバイスの機能モード
  9. 7 アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
    2. 7.2 代表的なアプリケーション
      1. 7.2.1 設計要件
      2. 7.2.2 詳細な設計手順
      3. 7.2.3 アプリケーション曲線
    3. 7.3 電源に関する推奨事項
    4. 7.4 レイアウト
      1. 7.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 7.4.2 レイアウト例
  10. 8 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 8.2 サポート・リソース
    3. 8.3 商標
    4. 8.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 8.5 用語集
  11. 9 改訂履歴
  12. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報

5.4 熱に関する情報

熱評価基準(1)SN74LVC1G06単位
DBV
(SOT-23)		DCK
(SC70)		DRL
(SOT-5X3)		DRY
(SON)		DPW
(X2SON)		YZV
(DSBGA)		YZP
(DSBGA)
5 ピン5 ピン5 ピン5 ピン5 ピン4 ピン5 ピン
RθJA接合部から周囲への熱抵抗357.1371.0296.2369.6511168.2144.4℃/W
RθJC(top)接合部からケース (上面) への熱抵抗263.7297.5137.3257.6241.92.11.3℃/W
RθJB接合部から基板への熱抵抗264.4258.6145.3230.8374.255.939.9℃/W
ψJT接合部から上面への特性パラメータ195.6195.614.777.2451.10.5℃/W
ψJB接合部から基板への特性パラメータ262.2256.2145.9231373.356.339.7℃/W
RθJC(bot)接合部からケース (底面) への熱抵抗該当なし該当なし該当なし該当なし168該当なし該当なし℃/W
(1) 従来および最新の熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション ノートを参照してください。