10 改訂履歴
Changes from Revision B (April 2025) to Revision C (September 2025)
- LMG3624Y の情報を全体に追加Go
- LMG3624Y のデータで更新し、LMG3624 のデータを分離Go
- スルーレート設定に LMG3624Y を追加Go
Changes from Revision A (June 2024) to Revision B (April 2025)
- 電圧定格を 650V から 700V に、ドレイン ソース間オン抵抗を 170mΩ から 155mΩ に更新Go
- 「アプリケーション」セクションのテキストを更新。Go
- 脚注 (2) で電圧定格を更新し、「絶対最大定格」セクションに脚注 (3) を追加Go
- 「電気的特性」セクションの「GaN パワー FET」サブセクションに、25℃ でのドレイン ソース間オン抵抗の最大値を追加し、25℃ と 125℃ でのドレイン ソース間オン抵抗の標準値を更新Go
- 「電気的特性」セクションの「過熱保護」サブセクションに、温度フォルト – 正方向スレッショルド温度の最小値を追加Go
- 「代表的特性」セクションに、出力キャパシタンスとドレインソース間電圧との関係のグラフ、および出力キャパシタンスに蓄積されたエネルギーとドレイン ソース間電圧との関係のグラフを追加Go
- 図を更新し、『GaN パワー FET のスイッチング機能』セクションのアプリケーションの使用方法を明確化する文を追加Go
- 「レイアウト例」セクションの図を更新Go