9 改訂履歴
Changes from Revision B (June 2005) to Revision C (July 2025)
- 廃止された TLC27L1AI、TLC27L1BI、TLC27L1BC、TLC27L1M デバイスと関連コンテンツをドキュメントから削除しました。Go
- ドキュメント全体にわたって表、図、相互参照の採番方法を更新Go
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アプリケーション、ピン構成と機能、アプリケーションと実装、デバイスとドキュメントのサポート、およびメカニカル、パッケージ、注文情報のセクションを追加しました。Go
- 「アプリケーション」セクションを追加
Go
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等価回路図セクションの削除Go
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ピン構成および機能と機能のセクションと、ピ構成を追加しました。Go
- 入力バイアス電流と入力オフセット電流は特性によって規定されていることを表に注記しました。Go
- 標準入力オフセット電流を 0.1pA から 0.5pA に変更しました。Go
- TA = 25°C の最小入力同相電圧の標準値を -0.3V から -0.2V に変更しました。Go
- Low レベル出力電圧の標準値を VDD = 5V の場合は 0mV から 1mV に、VDD = 10V の場合は 0mV から 5mV に変更しました。Go
- TA = 25°C での VDD = 5Vの CMRR 標準値を 94dB から 87dB に変更しました。Go
- TA = 70°C および TA = 0°C でのVDD = 5V の CMRR 標準値を 95dB から 85dB に変更しました。Go
- TA = 25°C での VDD = 10Vの CMRR 標準値を 97dB から 94dB に変更しました。Go
- TA = 0°C および TA = 70°C での VDD = 10V の CMRR 標準値を 97dB から 93dB に変更しました。Go
- パラメータ名を入力電流 (バイアスセレクト) からオフセット調整ピン入力電流 (バイアスセレクト) に変更し、テスト条件に「従来のシリコン」を追加しました。Go
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動作特性において、VDD = 10V の C 接尾辞の場合、TA = 0°C における標準ユニティゲイン帯域幅を 125kHz から 110kHz に変更しました。Go
- 入力バイアス電流と入力オフセット電流は特性によって規定されていることを表に注記しました。Go
- 標準入力オフセット電流を 0.1pA から 0.5pA に変更しました。Go
- TA = 25°C の最小入力同相電圧の標準値を -0.3V から -0.2V に変更しました。Go
- Low レベル出力電圧の標準値を VDD = 5V の場合は 0mV から 1mV に、VDD = 10V の場合は 0mV から 5mV に変更しました。Go
- TA = 25°C での VDD = 5Vの CMRR 標準値を 94dB から 87dB に変更しました。Go
- TA = 85°C および TA = −40°C での VDD = 5V の CMRR 標準値を 95dB から 85dB に変更しました。Go
- TA = 25°C での VDD = 10Vの CMRR 標準値を 97dB から 94dB に変更しました。Go
- TA = 85°C での VDD = 10V の CMRR 標準値を 97dB から 93dB に変更しました。Go
- TA = -40°C での VDD = 10Vの CMRR 標準値を 98dB から 93dB に変更しました。Go
- パラメータ名を入力電流 (バイアスセレクト) からオフセット調整ピン入力電流 (バイアスセレクト) に変更し、テスト条件に「従来のシリコン」を追加しました。Go
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VDD = 5V、I 接尾辞の動作特性において、TA = −40°C での標準ユニティゲイン帯域幅を 130kHz から 110kHz に変更しました。Go
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VDD = 10V、I 接尾辞の動作特性において、TA = −40°C での標準ユニティゲイン帯域幅を 155kHz から 110kHz に変更しました。Go
- 図 25 と 26 を削除しました。Go
- 図 5-30 を更新Go
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最大出力応答内で、フルピーク応答およびフルリニア応答の説明を更新しました。Go
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入力オフセット電圧のヌルリングのセクションを削除しました。Go
- バイアス選択ピン機能の削除と入力クロスオーバー領域の変更に関するガイダンスを入力特性に追加しました。Go
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出力特性内の図 47 を削除しました。Go
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出力特性内の図 7 - 12 および 7 - 13 を更新し、アンプの帰還接続の訂正をしました。Go