NESA331 November 2025 DRV8363-Q1
MOSFET 快速切換會導致快速電壓暫態,這些暫態包含高頻成分,會以 EMI 形式傳遞。所有電路皆有寄生電感和電容,快速激磁這些 L-C 元件會產生諧振電路,進一步放大某些頻率。這些頻率可能會干擾系統其餘部分。汽車系統有嚴格 EMI 頻率上限要求,例如 CISPR 25 合規性,因此限制了終端系統可實作的電壓轉換速率。