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CSD17581Q3A

AKTIV

30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 4,7 mOhm

Produktdetails

VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 3.8 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 4.7 VGSTH typ (typ) (V) 1.3 QG (typ) (nC) 20 QGD (typ) (nC) 4 QGS (typ) (nC) 6.9 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 101 ID - package limited (A) 60 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 3.8 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 4.7 VGSTH typ (typ) (V) 1.3 QG (typ) (nC) 20 QGD (typ) (nC) 4 QGS (typ) (nC) 6.9 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 101 ID - package limited (A) 60 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSONP (DNH) 8 10.89 mm² (3.3 mm × 3.3 mm)
  • Low Qg and Qgd
  • Low RDS(on)
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Lead-Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package
  • Low Qg and Qgd
  • Low RDS(on)
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Lead-Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package

This 30-V, 3.2-mΩ, SON 3.3-mm × 3.3-mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

This 30-V, 3.2-mΩ, SON 3.3-mm × 3.3-mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

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Technische Dokumentation

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Top-Dokumentation Typ Titel Format-Optionen Neueste englische Version herunterladen Datum
* Datenblatt CSD17581Q3A 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs datasheet PDF | HTML 07.10.2016
Application brief Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs PDF | HTML 31.10.2025
Anwendungshinweis MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 27.10.2025
Anwendungshinweis Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 25.03.2024
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Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 31.05.2022
Anwendungshinweis Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 16.11.2011

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

BQ25960EVM — BQ25960 I2C-gest. paralleler Batterielader, 1 Zelle, 8 A, geschalteter Kondensator – Evaluierungsm.

Das BQ25960EVM-Evaluierungsmodul (EVM) ist ein komplettes Lademodul zur Evaluierung des hochintegrierten Batterieladers mit geschaltetem Kondensator BQ25960 im WCSP-Gehäuse für 1-Zellen-Li-Ion- und Li-Polymer-Akkus in einer Vielzahl von Smartphones und Tablets. Das BQ25960EVM stellt eine komplette (...)
Benutzerhandbuch: PDF | HTML
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