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CSD17577Q3A

AKTIV

30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6,4 mOhm

Produktdetails

VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 4.8 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 6.4 VGSTH typ (typ) (V) 1.4 QG (typ) (nC) 13 QGD (typ) (nC) 2.8 QGS (typ) (nC) 5.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 83 ID - package limited (A) 35 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 4.8 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 6.4 VGSTH typ (typ) (V) 1.4 QG (typ) (nC) 13 QGD (typ) (nC) 2.8 QGS (typ) (nC) 5.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 83 ID - package limited (A) 35 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSONP (DNH) 8 10.89 mm² (3.3 mm × 3.3 mm)
  • Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3 mm × 3.3 mm Package
  • Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3 mm × 3.3 mm Package

This 30 V, 4.0 mΩ, SON 3.3 mm × 3.3 mm NexFET power MOSFET is designed to minimize resistance in power conversion applications.

This 30 V, 4.0 mΩ, SON 3.3 mm × 3.3 mm NexFET power MOSFET is designed to minimize resistance in power conversion applications.

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Technische Dokumentation

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Top-Dokumentation Typ Titel Format-Optionen Neueste englische Version herunterladen Datum
* Datenblatt CSD17577Q3A 30 V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet (Rev. A) PDF | HTML 13.01.2016
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Anwendungshinweis Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 16.11.2011

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

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