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CSD19506KCS

AKTIV

80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,3 mOhm

Produktdetails

VDS (V) 80 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 2.3 VGSTH typ (typ) (V) 2.5 QG (typ) (nC) 120 QGD (typ) (nC) 20 QGS (typ) (nC) 37 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 273 ID - package limited (A) 150 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 175
VDS (V) 80 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 2.3 VGSTH typ (typ) (V) 2.5 QG (typ) (nC) 120 QGD (typ) (nC) 20 QGS (typ) (nC) 37 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 273 ID - package limited (A) 150 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 175
TO-220 (KCS) 3 46.228 mm² 10.16 x 4.55
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Low thermal resistance
  • Avalanche rated
  • Pb-free terminal plating
  • RoHS compliant
  • Halogen free
  • TO-220 plastic package
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Low thermal resistance
  • Avalanche rated
  • Pb-free terminal plating
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  • Halogen free
  • TO-220 plastic package

This 80V, 2.0mΩ, TO-220 NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

This 80V, 2.0mΩ, TO-220 NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

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Technische Dokumentation

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Design und Entwicklung

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SLPM229.ZIP (9 KB) - TINA-TI Spice Model
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SLPM102B.ZIP (5 KB) - PSpice Model
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TO-220 (KCS) 3 Ultra Librarian

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