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CSD19538Q2

AKTIV

100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 59 mOhm

Produktdetails

VDS (V) 100 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 59 VGSTH typ (typ) (V) 3.2 QG (typ) (nC) 4.3 QGD (typ) (nC) 0.8 QGS (typ) (nC) 1.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 13.1 ID - package limited (A) 14.4 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 100 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 59 VGSTH typ (typ) (V) 3.2 QG (typ) (nC) 4.3 QGD (typ) (nC) 0.8 QGS (typ) (nC) 1.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 13.1 ID - package limited (A) 14.4 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
WSON (DQK) 6 4 mm² 2 x 2
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Low-thermal resistance
  • Avalanche rated
  • Lead free
  • RoHS compliant
  • Halogen free
  • SON 2mm × 2mm plastic package
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Low-thermal resistance
  • Avalanche rated
  • Lead free
  • RoHS compliant
  • Halogen free
  • SON 2mm × 2mm plastic package

This 100V, 49mΩ, SON 2mm × 2mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

This 100V, 49mΩ, SON 2mm × 2mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

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Technische Dokumentation

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Design und Entwicklung

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SLPM188A.ZIP (5 KB) - PSpice Model
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WSON (DQK) 6 Ultra Librarian

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