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CSD19538Q3A

AKTIV

100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 61 mOhm

Produktdetails

VDS (V) 100 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 61 VGSTH typ (typ) (V) 3.2 QG (typ) (nC) 4.3 QGD (typ) (nC) 0.8 QGS (typ) (nC) 1.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 13.7 ID - package limited (A) 15 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
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VSONP (DNH) 8 10.89 mm² 3.3 x 3.3
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Low-thermal resistance
  • Avalanche rated
  • Lead free
  • RoHS compliant
  • Halogen free
  • SON 3.3mm × 3.3mm plastic package
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  • Halogen free
  • SON 3.3mm × 3.3mm plastic package

This 100V, 49mΩ, SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize conduction losses and reduce board footprint in PoE applications.

This 100V, 49mΩ, SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize conduction losses and reduce board footprint in PoE applications.

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Technische Dokumentation

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Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
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