Produktdetails

Rating Automotive Architecture Gate driver Control interface 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 0.75 Vs (min) (V) 5 Vs ABS (max) (V) 100 Features Bootstrap Diode Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Automotive Architecture Gate driver Control interface 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 0.75 Vs (min) (V) 5 Vs ABS (max) (V) 100 Features Bootstrap Diode Operating temperature range (°C) -40 to 125
TSSOP (PW) 20 41.6 mm² 6.5 x 6.4
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Temperature grade 1: –40°C ≤ TA ≤ 125°C
  • 100-V Three Phase Half-Bridge Gate driver
    • Drives N-Channel MOSFETs (NMOS)
    • Gate Driver Supply (GVDD): 5-20 V
    • MOSFET supply (SHx) support upto 100 V
  • Integrated Bootstrap Diodes
  • Bootstrap gate drive architecture
    • 750-mA source current
    • 1.5-A sink current
  • Supports up to 48-V auto systems
  • Low leakage current on SHx pins (<55 µA)
  • Absolute maximum BSTx voltage upto 115-V
  • Supports negative transients upto -22-V on SHx
  • Built-in cross conduction prevention
  • Fixed deadtime insertion of 215 ns
  • Supports 3.3-V and 5-V logic inputs with 20 V Abs max
  • 4 nS typical propogation delay matching
  • Compact TSSOP package
  • Efficient system design with Power Blocks
  • Integrated protection features
    • BST undervoltage lockout (BSTUV)
    • GVDD undervoltage (GVDDUV)
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Temperature grade 1: –40°C ≤ TA ≤ 125°C
  • 100-V Three Phase Half-Bridge Gate driver
    • Drives N-Channel MOSFETs (NMOS)
    • Gate Driver Supply (GVDD): 5-20 V
    • MOSFET supply (SHx) support upto 100 V
  • Integrated Bootstrap Diodes
  • Bootstrap gate drive architecture
    • 750-mA source current
    • 1.5-A sink current
  • Supports up to 48-V auto systems
  • Low leakage current on SHx pins (<55 µA)
  • Absolute maximum BSTx voltage upto 115-V
  • Supports negative transients upto -22-V on SHx
  • Built-in cross conduction prevention
  • Fixed deadtime insertion of 215 ns
  • Supports 3.3-V and 5-V logic inputs with 20 V Abs max
  • 4 nS typical propogation delay matching
  • Compact TSSOP package
  • Efficient system design with Power Blocks
  • Integrated protection features
    • BST undervoltage lockout (BSTUV)
    • GVDD undervoltage (GVDDUV)

DRV8300 -Q1 is 100-V three half-bridge gate drivers, capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The DRV8300 -Q1 generates the correct gate drive voltages using an integrated bootstrap diode and external capacitor for the high-side MOSFETs. GVDD is used to generate gate drive voltage for the low-side MOSFETs. The Gate Drive architecture supports peak up to 750-mA source and 1.5-A sink currents.

The phase pins SHx is able to tolerate the significant negative voltage transients; while high side gate driver supply BSTx and GHx is able to support to higher positive voltage transients (115-V) abs max voltage which improves robustness of the system. Small propagation delay and delay matching specifications minimize the dead-time requirement which further improves efficiency. Undervoltage protection is provided for both low and high side through GVDD and BST undervoltage lockout.

DRV8300 -Q1 is 100-V three half-bridge gate drivers, capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The DRV8300 -Q1 generates the correct gate drive voltages using an integrated bootstrap diode and external capacitor for the high-side MOSFETs. GVDD is used to generate gate drive voltage for the low-side MOSFETs. The Gate Drive architecture supports peak up to 750-mA source and 1.5-A sink currents.

The phase pins SHx is able to tolerate the significant negative voltage transients; while high side gate driver supply BSTx and GHx is able to support to higher positive voltage transients (115-V) abs max voltage which improves robustness of the system. Small propagation delay and delay matching specifications minimize the dead-time requirement which further improves efficiency. Undervoltage protection is provided for both low and high side through GVDD and BST undervoltage lockout.

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Technische Dokumentation

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Alle anzeigen 2
Typ Titel Datum
* Data sheet DRV8300-Q1: 100-V Three-Phase BLDC Gate Driver datasheet PDF | HTML 08 Dez 2021
Certificate DRV8300DPW-Q1EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) 08 Dez 2021

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

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Unterstützte Produkte und Hardware

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Produkte
Arm Cortex-M0+-MCUs
MSPM0G1105 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 32 KB Flash, 16 KB SRAM, 2x12 Bit 4 Msps ADC, Operationsverstärke MSPM0G1106 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 64 KB Flash, 32 KB SRAM, 2x12 Bit 4 Msps ADC, Operationsverstärker MSPM0G1107 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 128 KB Flash, 32 KB SRAM, 2x12 Bit 4 Msps ADC, Operationsverstärk MSPM0G1505 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 32 KB Flash 16 KB SRAM 2x4 Msps ADC, 12 Bit DAC, 3xCOMP, 2xOPA, MATH MSPM0G1506 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 64 KB Flash 32 KB SRAM 2x4 Msps ADC, 12 Bit DAC, 3xCOMP, 2xOPA, MATH MSPM0G1507 80 MHz Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 128 KB Flash, 32 KB SRAM, 2x4-Msps ADC, 12-Bit DAC, 3xCOMP, 2xOPA, M MSPM0G3105 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 32 KB Flash, 16 KB SRAM, 2x12 Bit 4 Msps ADC, Operationsverstärker C MSPM0G3105-Q1 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU für die Automobilindustrie mit 32 KB Flash, 16 KB SRAM, 2x12-Bit 4-Msps MSPM0G3106 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 64 KB Flash, 32 KB SRAM, 2x12 Bit 4 Msps ADC, Operationsverstärker C MSPM0G3106-Q1 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU für die Automobilindustrie mit 64 KB Flash, 32 KB SRAM, 2x12 Bit 4 Msps MSPM0G3107 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 128 KB Flash, 32 KB SRAM, 2x12 Bit 4 Msps ADC, Operationsverstärker MSPM0G3107-Q1 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU für die Automobilindustrie mit 128 KB Flash, 32 KB SRAM, 2x12 Bit 4 Msps MSPM0G3505 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 32 KB Flash, 16 KB SRAM, 2x4 Msps ADC, DAC, 3xCOMP, 2xOPA, CAN-FD MSPM0G3505-Q1 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU für die Automobilindustrie mit 32 KB Flash, 16 KB SRAM, ADC, DAC, COMP, MSPM0G3506 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 64 KB Flash, 32 KB SRAM, 2x4 Msps ADC, DAC, 3xCOMP, 2xOPA, CAN-FD, M MSPM0G3506-Q1 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU für die Automobilindustrie mit 64 KB Flash, 32 KB SRAM, ADC, DAC, COMP, MSPM0G3507 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 128 KB Flash, 32 KB SRAM, 2x4 Msps ADC, DAC, 3xCOMP, 2xOPA, CAN-FD, MSPM0G3507-Q1 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU für die Automobilindustrie mit 128KB Flash, 32KB SRAM, ADC, DAC, COMP, O MSPM0L1303 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 8 KB Flash, 2 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, OPA MSPM0L1304 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 16 KB Flash, 2 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, OPA MSPM0L1304-Q1 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+ für die Automobilindustrie mit 16 KB Flash, 2 KB RAM, 12-Bit-ADC, OPA, LIN MSPM0L1305 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 32 KB Flash, 4 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, OPA MSPM0L1305-Q1 32-MHz-Arm® Cortex-M0®+ für die Automobilindustrie, mit 32 KB Flash, 4 KB RAM, 12-Bit-ADC, OPA, LIN MSPM0L1306 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 64 KB Flash, 4 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, OPA MSPM0L1306-Q1 32-MHz-Arm® Cortex-M0®+ für die Automobilindustrie, mit 64 KB Flash, 4 KB RAM, 12-Bit-ADC, OPA, LIN MSPM0L1343 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 8 KB Flash, 2 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, TIA MSPM0L1344 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 16 KB Flash, 2 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, TIA MSPM0L1345 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 32 KB Flash, 4 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, TIA MSPM0L1346 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 64 KB Flash, 4 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, TIA
BLDC-Treiber
DRV8300 Einfacher dreiphasiger Gate-Treiber für max. 100 V mit Bootstrap-Dioden DRV8300-Q1 100-V-Batterie-3-Phasen-Gate-Treiber mit präziser Stromerfassung und verbessertem Schutz, für die Au DRV8300U Einfacher Drei-Phasen-Gate-Treiber mit Bootstrap-Dioden und verbessertem UVLO-Schutz, max. 100 V DRV8311 Max. 24 V abs., 3 bis 20 V, dreiphasiger bürstenloser Gleichstrom-Motortreiber mit integrierten FETs DRV8316 3-Phasen-Motortreiber mit 8-A-Peak für max. 40 V mit integrierter Strommessung und integrierten FETs DRV8316-Q1 40-V-Drei-Phasen-Motortreiber, max. 8 A Spitze und integrierter Strommessung (Automobilindustrie) DRV8316C-Q1 40-V-Drei-Phasen-Motortreiber, max. 8 A Spitze und integrierter Strommessung (Automobilindustrie) DRV8317 24-V-Drei-Phasen-Motortreiber, max. 5 A Spitze und integrierte FETs und Strommessung DRV8323 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, max. 65 V, mit Strom-Shunt-Verstärkern DRV8323R Maximal dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber für 65 V mit Abwärtsregler und Strom-Shunt-Verstärke DRV8328 Dreiphasiger 60-V-Gate-Treiber für 1000/2000 mA DRV8329 Dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber (60 V) mit drei Strom-Shunt-Verstärkern DRV8353 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, max. 102 V, mit Strom-Shunt-Verstärkern DRV8353F 102-V max. 3-phasiger Smart Gate-Treiber mit 3x CSA, qualifiziert für Funktionssicherheitsapplikatio DRV8353R Maximal dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber für 102 V mit Abwärtsregler und Strom-Shunt-Verstärk
Schrittmotortreiber
DRV8411A Doppel-H-Brückentreiber, 1,65 bis 11 V, 4 A mit Stromregelung über IPROPI DRV8889-Q1 Bipolarer Schrittmotortreiber für die Automobilindustrie, 50 V, 1,5 A-, integrierte Strommessung & A
Treiber für Gleichstrom-Bürstenmotoren
DRV8706-Q1 Intelligenter 40-V-H-Brücken-Gate-Treiber mit Offline-Diagnose und Inline-Strommessverstärker für
Hardware-Entwicklung
Evaluierungsplatine
BOOSTXL-DRV8323RH DRV8323RH – dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber mit Buck, Shunt-Verstärkern (SPI-Schnittstelle) BOOSTXL-DRV8323RS DRV8323RS dreiphasiger Smart Gate-Treiber mit Abwärts- und Shunt-Verstärkern (SPI-Schnittstelle) DRV8300DIPW-EVM DRV8300DIPW Dreiphasen-BLDC – Evaluierungsmodul DRV8300DRGE-EVM DRV8300DRGE Dreiphasen-BLDC – Evaluierungsmodul DRV8311HEVM DRV8311H: Evaluierungsmodul für dreiphasigen PWM-Motortreiber DRV8316REVM DRV8316R Evaluierungsmodul für dreiphasigen PWM-Motortreiber DRV8317HEVM Evaluierungsmodul DRV8317 für dreiphasigen bürstenlosen DC (BLDC)-Gate-Treiber DRV8328AEVM DRV8328A Evaluierungsmodul für dreiphasigen PWM-Motortreiber DRV8329AEVM DRV8329A Evaluierungsmodul für dreiphasigen BLDC-Gate-Treiber DRV8353RH-EVM DRV8353RH – Dreiphasiges Smart Gate-Treiber-Evaluierungsmodul DRV8353RS-EVM DRV8353RS-Dreiphasiges Smart Gate-Treiber-Evaluierungsmodul DRV8411AEVM Evaluierungsmodul DRV8411A für Dual H-Brücken-Motortreiber mit Stromregelung DRV8706S-Q1EVM EVM für H-Brücken-Smart-Gate-Treiber für den Automobilbereich mit Strommessverstärker mit breitem DRV8889-Q1EVM DRV8889-Q1 Evaluierungsmodul für einen Schrittmotortreiber für die Automobilindustrie mit 1/256-Mikr LP-MSPM0G3507 MSPM0G3507 LaunchPad™ -Entwicklungskit für 80-MHz-Arm® Cortex®-M0+ MCU LP-MSPM0L1306 MSPM0L1306 LaunchPad™ Entwicklungskit für 32-MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU
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MSPM0-SDK MSPM0 Software-Entwicklungskit (SDK)
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TSSOP (PW) 20 Ultra Librarian

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