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Treiber für Gleichstrom-Bürstenmotoren

DRV8706-Q1

AKTIV

Intelligenter 40-V-H-Brücken-Gate-Treiber mit Offline-Diagnose und Inline-Strommessverstärker für

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DRV8706-Q1

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Produktdetails

Number of full bridges 1 Vs (min) (V) 4.5 Vs ABS (max) (V) 40 Sleep current (µA) 2.5 Control mode Independent 1/2-Bridge, PH/EN, PWM Control interface Hardware (GPIO), SPI Features Inline Current sense Amplifier, Smart Gate Drive Rating Automotive TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125
Number of full bridges 1 Vs (min) (V) 4.5 Vs ABS (max) (V) 40 Sleep current (µA) 2.5 Control mode Independent 1/2-Bridge, PH/EN, PWM Control interface Hardware (GPIO), SPI Features Inline Current sense Amplifier, Smart Gate Drive Rating Automotive TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (RHB) 32 25 mm² 5 x 5
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications:
    • Temperature grade 1: –40°C to +125°C, TA
  • Functional Safety-Capable
  • H-bridge smart gate driver
    • 4.9-V to 37-V (40-V abs. max) operating range
    • Doubler charge pump for 100% PWM
    • Half-bridge and H-bridge control modes
  • Pin to pin gate driver variants
  • Smart gate drive architecture
    • Adjustable slew rate control
    • 0.5-mA to 62-mA peak source current output
    • 0.5-mA to 62-mA peak sink current output
    • Integrated dead-time handshaking
  • Wide common mode current shunt amplifier
    • Supports inline, high-side, or low-side
    • Adjustable gain settings (10, 20, 40, 80 V/V)
    • Integrated feedback resistors
    • Adjustable PWM blanking scheme
  • Multiple interface options available
    • SPI: Detailed configuration and diagnostics
    • H/W: Simplified control and less MCU pins
  • Spread spectrum clocking for EMI reduction
  • Compact VQFN package with wettable flanks
  • Integrated protection features
    • Dedicated driver disable pin (DRVOFF)
    • Supply and regulator voltage monitors
    • MOSFET VDS overcurrent monitors
    • MOSFET VGS gate fault monitors
    • Charge pump for reverse polarity MOSFET
    • Offline open load and short circuit diagnostics
    • Device thermal warning and shutdown
    • Fault condition interrupt pin (nFAULT)
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications:
    • Temperature grade 1: –40°C to +125°C, TA
  • Functional Safety-Capable
  • H-bridge smart gate driver
    • 4.9-V to 37-V (40-V abs. max) operating range
    • Doubler charge pump for 100% PWM
    • Half-bridge and H-bridge control modes
  • Pin to pin gate driver variants
  • Smart gate drive architecture
    • Adjustable slew rate control
    • 0.5-mA to 62-mA peak source current output
    • 0.5-mA to 62-mA peak sink current output
    • Integrated dead-time handshaking
  • Wide common mode current shunt amplifier
    • Supports inline, high-side, or low-side
    • Adjustable gain settings (10, 20, 40, 80 V/V)
    • Integrated feedback resistors
    • Adjustable PWM blanking scheme
  • Multiple interface options available
    • SPI: Detailed configuration and diagnostics
    • H/W: Simplified control and less MCU pins
  • Spread spectrum clocking for EMI reduction
  • Compact VQFN package with wettable flanks
  • Integrated protection features
    • Dedicated driver disable pin (DRVOFF)
    • Supply and regulator voltage monitors
    • MOSFET VDS overcurrent monitors
    • MOSFET VGS gate fault monitors
    • Charge pump for reverse polarity MOSFET
    • Offline open load and short circuit diagnostics
    • Device thermal warning and shutdown
    • Fault condition interrupt pin (nFAULT)

The DRV8706-Q1 is a highly integrated H-bridge gate driver, capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. It generates the proper gate drive voltages using an integrated doubler charge pump for the high-side and a linear regulator for the low-side.

The device uses a smart gate drive architecture to reduce system cost and improve reliability. The gate driver optimizes dead time to avoid shoot-through conditions, provides control to decreasing electromagnetic interference (EMI) through adjustable gate drive current, and protects against drain to source and gate short conditions with VDS and VGS monitors.

A wide common mode shunt amplifier provides inline current sensing to continuously measure motor current even during recirculating windows. The amplifier can be used in low-side or high-side sense configurations if inline sensing is not required.

The DRV8706-Q1 provide an array of protection features to ensure robust system operation. These include under and overvoltage monitors for the power supply and charge pump, VDS overcurrent and VGS gate fault monitors for the external MOSFETs, offline open load and short circuit diagnostics, and internal thermal warning and shutdown protection.

The DRV8706-Q1 is a highly integrated H-bridge gate driver, capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. It generates the proper gate drive voltages using an integrated doubler charge pump for the high-side and a linear regulator for the low-side.

The device uses a smart gate drive architecture to reduce system cost and improve reliability. The gate driver optimizes dead time to avoid shoot-through conditions, provides control to decreasing electromagnetic interference (EMI) through adjustable gate drive current, and protects against drain to source and gate short conditions with VDS and VGS monitors.

A wide common mode shunt amplifier provides inline current sensing to continuously measure motor current even during recirculating windows. The amplifier can be used in low-side or high-side sense configurations if inline sensing is not required.

The DRV8706-Q1 provide an array of protection features to ensure robust system operation. These include under and overvoltage monitors for the power supply and charge pump, VDS overcurrent and VGS gate fault monitors for the external MOSFETs, offline open load and short circuit diagnostics, and internal thermal warning and shutdown protection.
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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
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Design und Entwicklung

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MSP Motor Control provides examples for supported hardware kits to spin brushed, stepper, and three-phase motors with sensored (...)

Unterstützte Produkte und Hardware

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Produkte
Arm Cortex-M0+-MCUs
MSPM0G1105 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 32 kB Flash, 16 kB SRAM, 2×12 Bit 4MS/s ADC, Operationsverstärker MSPM0G1106 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 64 kB Flash, 32 kB SRAM, 2×12 Bit 4MS/s ADC, Operationsverstärker MSPM0G1107 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 128 kB Flash, 32 kB SRAM, 2×12 Bit 4MS/s ADC, Operationsverstärker MSPM0G1505 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 32 kB Flash, 16 kB SRAM, 2×12 Bit 4 MS/s ADC, DAC, 3×COMP, 3×Operationsverstärke MSPM0G1506 — 3×Operationsverstärker, MCU M0+mit 80 MHz Arm, 64 KB Flash, 32 KB SRAM, 2×12&nbs MSPM0G1507 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 128 kB Flash, 32 kB SRAM, 2×12 Bit 4 MS/s ADC, DAC, 3×COMP, 3×Operationsverstärk MSPM0G3105 — Operationsverstärker, 80 MHz Arm® M0+ MCU, 32KB Flash, 16KB SRAM, 2×12 bit 4 Msps ADC, CAN-FD MSPM0G3106 — Operationsverstärker, 80 MHz Arm® M0+ MCU, 64KB Flash, 32 KB SRAM, 2×12 bit 4 Msps ADC, CAN-FD MSPM0G3107 — Operationsverstärker, 80 MHz Arm® M0+ MCU, 128 KB Flash, 32 KB SRAM, 2×12 bit 4 Msps ADC, CAN-FD MSPM0G3107-Q1 — Operationsverstärker für die Automobilindustrie, 80 MHz Arm M0+ MCU, 128 KB Flash, 32 KB SRAM, 12 bi MSPM0G3505 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 32KB Flash, 16KB SRAM, 2×12 Bit 4 MS/s ADC, DAC, 3×COMP, 3×Operationsverstärker, MSPM0G3506 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 64 kB Flash, 32 kB SRAM, 2×12 Bit 4 MS/s ADC, DAC, 3×COMP, 3×Operationsverstärke MSPM0G3507 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 128 kB Flash, 32 kB SRAM, 2×12 Bit 4 MS/s ADC, DAC, 3×COMP, 3×Operationsverstärk MSPM0G3507-Q1 — Operationsverstärker für die Automobilindustrie, Arm M0+ MCU 80 MHz, 128KB Flash, 32KB SRAM, 12 bit MSPM0L1303 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 8 KB Flash, 2 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, OPA MSPM0L1304 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 16 KB Flash, 2 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, OPA MSPM0L1304-Q1 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+ für die Automobilindustrie mit 16 KB Flash, 2 KB RAM, 12-Bit-ADC, OPA, LIN MSPM0L1305 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 32 KB Flash, 4 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, OPA MSPM0L1305-Q1 — 32-MHz-Arm® Cortex-M0®+ für die Automobilindustrie, mit 32 KB Flash, 4 KB RAM, 12-Bit-ADC, OPA, LIN MSPM0L1306 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 64 KB Flash, 4 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, OPA MSPM0L1306-Q1 — 32-MHz-Arm® Cortex-M0®+ für die Automobilindustrie, mit 64 KB Flash, 4 KB RAM, 12-Bit-ADC, OPA, LIN MSPM0L1343 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 8 KB Flash, 2 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, TIA MSPM0L1344 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 16 KB Flash, 2 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, TIA MSPM0L1345 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 32 KB Flash, 4 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, TIA MSPM0L1346 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 64 KB Flash, 4 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, TIA
BLDC-Treiber
DRV8300 — Einfacher dreiphasiger Gate-Treiber für max. 100 V mit Bootstrap-Dioden DRV8300-Q1 — 100-V-Batterie-3-Phasen-Gate-Treiber mit präziser Stromerfassung und verbessertem Schutz, für die Au DRV8300U — Einfacher Drei-Phasen-Gate-Treiber mit Bootstrap-Dioden und verbessertem UVLO-Schutz, max. 100 V DRV8311 — Max. 24 V abs., 3 bis 20 V, dreiphasiger bürstenloser Gleichstrom-Motortreiber mit integrierten FETs DRV8316 — 3-Phasen-Motortreiber mit 8-A-Peak für max. 40 V mit integrierter Strommessung und integrierten FETs DRV8316-Q1 — 40-V-Drei-Phasen-Motortreiber, max. 8 A Spitze und integrierter Strommessung (Automobilindustrie) DRV8316C-Q1 — 40-V-Drei-Phasen-Motortreiber, max. 8 A Spitze und integrierter Strommessung (Automobilindustrie) DRV8317 — 24-V-Drei-Phasen-Motortreiber, max. 5 A Spitze und integrierte FETs und Strommessung DRV8323 — 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, max. 65 V, mit Strom-Shunt-Verstärkern DRV8323R — Maximal dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber für 65 V mit Abwärtsregler und Strom-Shunt-Verstärke DRV8328 — Dreiphasiger 60-V-Gate-Treiber für 1000/2000 mA DRV8329 — Dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber, 60 V, 1000/2000 mA mit einzelnem Strommessverstärker DRV8353 — 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, max. 102 V, mit Strom-Shunt-Verstärkern DRV8353F — 102-V max. 3-phasiger Smart Gate-Treiber mit 3x CSA, qualifiziert für Funktionssicherheitsapplikatio DRV8353R — Maximal dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber für 102 V mit Abwärtsregler und Strom-Shunt-Verstärk
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Treiber für Gleichstrom-Bürstenmotoren
DRV8706-Q1 — Intelligenter 40-V-H-Brücken-Gate-Treiber mit Offline-Diagnose und Inline-Strommessverstärker für
Hardware-Entwicklung
BOOSTXL-DRV8323RH — DRV8323RH – dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber mit Buck, Shunt-Verstärkern (SPI-Schnittstelle) BOOSTXL-DRV8323RS — DRV8323RS dreiphasiger Smart Gate-Treiber mit Abwärts- und Shunt-Verstärkern (SPI-Schnittstelle) DRV8300DIPW-EVM — DRV8300DIPW Dreiphasen-BLDC – Evaluierungsmodul DRV8300DRGE-EVM — DRV8300DRGE Dreiphasen-BLDC – Evaluierungsmodul DRV8311HEVM — DRV8311H: Evaluierungsmodul für dreiphasigen PWM-Motortreiber DRV8316REVM — DRV8316R Evaluierungsmodul für dreiphasigen PWM-Motortreiber DRV8317HEVM — Evaluierungsmodul DRV8317 für dreiphasigen bürstenlosen DC (BLDC)-Gate-Treiber DRV8328AEVM — DRV8328A Evaluierungsmodul für dreiphasigen PWM-Motortreiber DRV8329AEVM — DRV8329A Evaluierungsmodul für dreiphasigen BLDC-Gate-Treiber DRV8353RH-EVM — DRV8353RH – Dreiphasiges Smart Gate-Treiber-Evaluierungsmodul DRV8353RS-EVM — DRV8353RS-Dreiphasiges Smart Gate-Treiber-Evaluierungsmodul DRV8411AEVM — Evaluierungsmodul DRV8411A für Dual H-Brücken-Motortreiber mit Stromregelung DRV8706S-Q1EVM — EVM für H-Brücken-Smart-Gate-Treiber für den Automobilbereich mit Strommessverstärker mit breitem DRV8889-Q1EVM — DRV8889-Q1 Evaluierungsmodul für einen Schrittmotortreiber für die Automobilindustrie mit 1/256-Mikr LP-MSPM0G3507 — MSPM0G3507 LaunchPad™ -Entwicklungskit für 80-MHz-Arm® Cortex®-M0+ MCU LP-MSPM0L1306 — MSPM0L1306 LaunchPad™ Entwicklungskit für 32-MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU
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