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CSD17559Q5

ACTIVO

MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 1.5 mOhm

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CSD17573Q5B ACTIVO MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 1.45 mOhm This product has lower resistance and a lower price.

CSD17559Q5

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Detalles del producto

VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 1.15 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 1.5 VGSTH typ (typ) (V) 1.4 QG (typ) (nC) 39 QGD (typ) (nC) 9.3 QGS (typ) (nC) 14.4 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 257 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 1.15 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 1.5 VGSTH typ (typ) (V) 1.4 QG (typ) (nC) 39 QGD (typ) (nC) 9.3 QGS (typ) (nC) 14.4 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 257 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON-CLIP (DQH) 8 30 mm² 6 x 5
  • Extremely Low Resistance
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package
  • Extremely Low Resistance
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package

This 30 V, 0.95 mΩ, 5 × 6 mm SON NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in synchronous rectification and other power conversion applications.

This 30 V, 0.95 mΩ, 5 × 6 mm SON NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in synchronous rectification and other power conversion applications.
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Documentación técnica

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Documentación principal Tipo Título Opciones de formato Fecha
* Data sheet CSD17559Q5 30-V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet (Rev. A) PDF | HTML 09 sep 2014
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Selection guide Power Management Guide 2018 (Rev. R) 25 jun 2018
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Application note Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 16 nov 2011

Diseño y desarrollo

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Soporte de software

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
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NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
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Modelo de simulación

CSD17559Q5 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM056B.ZIP (6 KB) - PSpice Model
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Herramienta de cálculo

FET-SOA-CALC-SELECT — MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
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MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for BLDC Motor Drive

This is an Excel-based MOSFET power loss calculator for brushless DC motor drive applications.
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SLPR053 — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Inverting Buck Boost Converter

MOSFET power loss calculation and selection tool for synchronous inverting buck boost converter
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SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for synchronous boost converter applications.

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SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
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Herramienta de cálculo

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — Herramienta de cálculo de pérdidas de potencia para el rectificador síncrono

Calculadora de pérdida de potencia MOSFET para aplicaciones de rectificador sincrónico
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Diseños de referencia

PMP20771 — Diseño de referencia Flyback de 120 VCA de entrada, PSR 5 V 25 W

Este diseño de referencia es un convertidor de retroalimentación regulado en el lado principal de 120 VCA a 5 V con rectificación sincrónica en el lado secundario.  El diseño de referencia tiene una potencia en espera extremadamente baja a 67 mW.  El UCC28704 cuenta con regulación CC-CV integrada (...)
Test report: PDF
Esquema: PDF
Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
VSON-CLIP (DQH) 8 Ultra Librarian
Se aplican los Términos y condiciones estándar de TI para los elementos de evaluación.

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)/reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.

Soporte y capacitación

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