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CSD17579Q5A

ACTIVO

MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 13.3 mOhm

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Detalles del producto

VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 9.7 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 13.3 VGSTH typ (typ) (V) 1.5 QG (typ) (nC) 5.4 QGD (typ) (nC) 1.2 QGS (typ) (nC) 2.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 46 ID - package limited (A) 25 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 9.7 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 13.3 VGSTH typ (typ) (V) 1.5 QG (typ) (nC) 5.4 QGD (typ) (nC) 1.2 QGS (typ) (nC) 2.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 46 ID - package limited (A) 25 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSONP (DQJ) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm)
  • Low Qg and Qgd
  • Low RDS(on)
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package
  • Low Qg and Qgd
  • Low RDS(on)
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package

This 30 V, 8.4 mΩ, SON 5 mm × 6mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

This 30 V, 8.4 mΩ, SON 5 mm × 6mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.
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