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CSD19538Q2

ACTIVO

MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, SON simple de 2 mm x 2 mm, 59 mOhm

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CSD19538Q2

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Detalles del producto

VDS (V) 100 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 59 VGSTH typ (typ) (V) 3.2 QG (typ) (nC) 4.3 QGD (typ) (nC) 0.8 QGS (typ) (nC) 1.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 13.1 ID - package limited (A) 14.4 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 100 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 59 VGSTH typ (typ) (V) 3.2 QG (typ) (nC) 4.3 QGD (typ) (nC) 0.8 QGS (typ) (nC) 1.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 13.1 ID - package limited (A) 14.4 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
WSON (DQK) 6 4 mm² (2 mm × 2 mm)
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Low-thermal resistance
  • Avalanche rated
  • Lead free
  • RoHS compliant
  • Halogen free
  • SON 2mm × 2mm plastic package
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Low-thermal resistance
  • Avalanche rated
  • Lead free
  • RoHS compliant
  • Halogen free
  • SON 2mm × 2mm plastic package

This 100V, 49mΩ, SON 2mm × 2mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

This 100V, 49mΩ, SON 2mm × 2mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.
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* Hoja de datos CSD19538Q2 100V N-Channel NexFET™ Power MOSFET datasheet (Rev. B) PDF | HTML 19/03/2024
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Diseño y desarrollo

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Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
WSON (DQK) 6 Ultra Librarian
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