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LM5112

ACTIVO

Controlador de puerta monocanal de 3 A/7 A con UVLO de 4 V y toma de tierra de entrada para operació

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UCC27614 ACTIVO Controlador de lado bajo y único canal de 10 A/10 A con UVLO de 4 V, VDD de 30 V y retardo de propag More recent driver with wide VDD and smaller package options

LM5112

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Detalles del producto

Number of channels 1 Power switch MOSFET Peak output current (A) 7 Input supply voltage (min) (V) 3.5 Input supply voltage (max) (V) 14 Features Negative Output Voltage Capability Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 14 Fall time (ns) 12 Propagation delay time (µs) 0.025 Input threshold TTL Channel input logic Inverting, Non-Inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 3 Driver configuration Single
Number of channels 1 Power switch MOSFET Peak output current (A) 7 Input supply voltage (min) (V) 3.5 Input supply voltage (max) (V) 14 Features Negative Output Voltage Capability Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 14 Fall time (ns) 12 Propagation delay time (µs) 0.025 Input threshold TTL Channel input logic Inverting, Non-Inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 3 Driver configuration Single
WSON (NGG) 6 9 mm² (3 mm × 3 mm) HVSSOP (DGN) 8 14.7 mm² (3 mm × 4.9 mm)
  • LM5112-Q1 is Qualified for Automotive Applications
  • AEC-Q100 Grade 1 Qualified
  • Manufactured on an Automotive Grade Flow
  • Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation
  • 7-A Sink and 3-A Source Current
  • Fast Propagation Times: 25 ns (Typical)
  • Fast Rise and Fall Times: 14 ns or 12 ns
    Rise or Fall With 2-nF Load
  • Inverting and Non-Inverting Inputs Provide Either Configuration With a Single Device
  • Supply Rail Undervoltage Lockout Protection
  • Dedicated Input Ground (IN_REF) for
    Split Supply or Single Supply Operation
  • Power Enhanced 6-Pin WSON Package
    (3 mm × 3 mm) or Thermally Enhanced
    MSOP-PowerPAD Package
  • Output Swings From VCC to VEE Which Are Negative Relative to Input Ground
  • LM5112-Q1 is Qualified for Automotive Applications
  • AEC-Q100 Grade 1 Qualified
  • Manufactured on an Automotive Grade Flow
  • Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation
  • 7-A Sink and 3-A Source Current
  • Fast Propagation Times: 25 ns (Typical)
  • Fast Rise and Fall Times: 14 ns or 12 ns
    Rise or Fall With 2-nF Load
  • Inverting and Non-Inverting Inputs Provide Either Configuration With a Single Device
  • Supply Rail Undervoltage Lockout Protection
  • Dedicated Input Ground (IN_REF) for
    Split Supply or Single Supply Operation
  • Power Enhanced 6-Pin WSON Package
    (3 mm × 3 mm) or Thermally Enhanced
    MSOP-PowerPAD Package
  • Output Swings From VCC to VEE Which Are Negative Relative to Input Ground

The LM5112 device MOSFET gate driver provides high peak gate drive current in the tiny 6-pin WSON package (SOT-23 equivalent footprint) or an 8-pin exposed-pad MSOP package with improved power dissipation required for high frequency operation. The compound output driver stage includes MOS and bipolar transistors operating in parallel that together sink more than 7 A peak from capacitive loads. Combining the unique characteristics of MOS and bipolar devices reduces drive current variation with voltage and temperature. Undervoltage lockout protection is provided to prevent damage to the MOSFET due to insufficient gate turnon voltage. The LM5112 device provides both inverting and non-inverting inputs to satisfy requirements for inverting and non-inverting gate drive with a single device type.

The LM5112 device MOSFET gate driver provides high peak gate drive current in the tiny 6-pin WSON package (SOT-23 equivalent footprint) or an 8-pin exposed-pad MSOP package with improved power dissipation required for high frequency operation. The compound output driver stage includes MOS and bipolar transistors operating in parallel that together sink more than 7 A peak from capacitive loads. Combining the unique characteristics of MOS and bipolar devices reduces drive current variation with voltage and temperature. Undervoltage lockout protection is provided to prevent damage to the MOSFET due to insufficient gate turnon voltage. The LM5112 device provides both inverting and non-inverting inputs to satisfy requirements for inverting and non-inverting gate drive with a single device type.
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* Hoja de datos LM5112, LM5112-Q1 Tiny 7-A MOSFET Gate Driver datasheet (Rev. C) PDF | HTML 22/10/2015
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Diseño y desarrollo

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Placa de evaluación

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Guía del usuario: PDF
Productos y hardware compatibles
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LM5112 PSpice Transient Model

SNVM300.ZIP (73 KB) - Modelo PSpice
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LM5112 TINA-TI Transient Reference Design

SNVM391.TSC (579 KB) - Diseño de referencia TINA-TI
Productos y hardware compatibles
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LM5112 TINA-TI Transient Spice Model

SNVM390.ZIP (8 KB) - Modelo TINA-TI Spice
Productos y hardware compatibles
Modelo de simulación

LM5112 Unencrypted PSpice Transient Model

SNVMAD6.ZIP (1 KB) - Modelo PSpice
Productos y hardware compatibles
Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
WSON (NGG) 6 Ultra Librarian
HVSSOP (DGN) 8 Ultra Librarian
Se aplican los Términos y condiciones estándar de TI para los elementos de evaluación.

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