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LM74681

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Controlador de puente de diodo ideal de 100 V para aplicaciones alimentadas por PoE

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LM74681

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Detalles del producto

Vin (max) (V) 90 Vin (min) (V) 30 FET External single FET Device type Ideal diode bridge controller Number of channels 4 Rating Catalog Features Enable, Full bridge diode rectifier controller, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection, Under voltage lock out Iq (typ) (mA) 0.27 Iq (max) (mA) 0.45 IGate source (typ) (µA) 160 IGate sink (typ) (mA) 100 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -1 Design support EVM VGS (max) (V) 14 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.0000382 Product type Ideal diode controller
Vin (max) (V) 90 Vin (min) (V) 30 FET External single FET Device type Ideal diode bridge controller Number of channels 4 Rating Catalog Features Enable, Full bridge diode rectifier controller, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection, Under voltage lock out Iq (typ) (mA) 0.27 Iq (max) (mA) 0.45 IGate source (typ) (µA) 160 IGate sink (typ) (mA) 100 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -1 Design support EVM VGS (max) (V) 14 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.0000382 Product type Ideal diode controller
WSON (DRR) 12 9 mm² 3 x 3
  • Input operating voltage range: 30V to 90V
    • 100V absolute maximum
  • 4× integrated gate drive control
  • 165µA gate pull-up strength
  • 100mA gate pull-down strength
  • Ultra-low quiescent current of 0.27µA during detection and classification phase (VIN1-IN2 < 23V)
  • Linear gate regulation control for supply ORing applications
    • VTG_REG = 11mV
  • Enable pin for user controlled device on/off function
  • –40°C to 125°C operating junction temperature range
  • Small footprint: 3mm × 3mm WSON-12
    • Meets IPC-9592 spacing rules
  • Input operating voltage range: 30V to 90V
    • 100V absolute maximum
  • 4× integrated gate drive control
  • 165µA gate pull-up strength
  • 100mA gate pull-down strength
  • Ultra-low quiescent current of 0.27µA during detection and classification phase (VIN1-IN2 < 23V)
  • Linear gate regulation control for supply ORing applications
    • VTG_REG = 11mV
  • Enable pin for user controlled device on/off function
  • –40°C to 125°C operating junction temperature range
  • Small footprint: 3mm × 3mm WSON-12
    • Meets IPC-9592 spacing rules

The LM74681 is a 100V ideal diode bridge controller capable of driving a MOSFET bridge, enabling efficient low-loss bridge rectifier solutions in Power over Ethernet (PoE) applications. It allows a Power over Ethernet, powered device (PD) to receive power from RJ-45 data pairs, spare pairs, or any combination of the two, regardless of voltage polarity. The integrated charge pump allows use of N-channel MOSFETs, which are smaller and more cost effective than P-channel MOSFETs for the same power level. The LM74681 along with N-channel MOSFET bridge can replace the conventional diode bridge and can be conveniently implemented in both 2-pair and 4-pair PoE PD systems. In the event of a power source failure or short circuit, a rapid turn-off feature reduces reverse current spikes. The device also features an ultra-low quiescent current of 0.27µA, which ensures that there is no data corruption during the PoE PD detection and classification phase. This device is characterized for operation over a junction temperature range of –40°C to +125°C.

The LM74681 is a 100V ideal diode bridge controller capable of driving a MOSFET bridge, enabling efficient low-loss bridge rectifier solutions in Power over Ethernet (PoE) applications. It allows a Power over Ethernet, powered device (PD) to receive power from RJ-45 data pairs, spare pairs, or any combination of the two, regardless of voltage polarity. The integrated charge pump allows use of N-channel MOSFETs, which are smaller and more cost effective than P-channel MOSFETs for the same power level. The LM74681 along with N-channel MOSFET bridge can replace the conventional diode bridge and can be conveniently implemented in both 2-pair and 4-pair PoE PD systems. In the event of a power source failure or short circuit, a rapid turn-off feature reduces reverse current spikes. The device also features an ultra-low quiescent current of 0.27µA, which ensures that there is no data corruption during the PoE PD detection and classification phase. This device is characterized for operation over a junction temperature range of –40°C to +125°C.
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Documentación técnica

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* Data sheet LM74681 100V Ideal Diode Bridge Controller for PoE Powered Applications datasheet PDF | HTML 27 dic 2024
Application brief Achieve Low Loss Rectification Using TI's Diode Bridge Controllers PDF | HTML 09 abr 2025
Certificate LM74681EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 31 oct 2024

Diseño y desarrollo

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Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)/reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

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