The LMG352xR050 GaN FET with integrated driver and protection is targeted at switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.
The LMG352xR050 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 15V/ns to 150V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance. The LMG3526R050 includes the zero-voltage detection (ZVD) feature which provides a pulse output from the ZVD pin when zero-voltage switching is realized.
Advanced power management features include digital temperature reporting and fault detection. The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output, which simplifies managing device loading. Faults reported include overcurrent, short-circuit, overtemperature, VDD UVLO, and high-impedance RDRV pin.
| Documentación principal | Tipo | Título | Opciones de formato | Descargar la versión más reciente en inglés | Fecha |
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| * | Hoja de datos | LMG352xR050 650 V 50 mΩ GaN FET With Integrated Driver, Protection, and Temperature Reporting datasheet (Rev. A) | PDF | HTML | 23/05/2024 |
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