El LMG3522EVM-042 configura dos transistores de efecto de campo (FET) de nitruro de galio (GaN) LMG3522R030 en un medio puente con la protección de sobrecorriente ciclo a ciclo, la función de protección contra cortocircuitos bloqueada y todos los circuitos periféricos auxiliares necesarios. Esta EVM está diseñada para trabajar en conjunto con sistemas más grandes.
Funciones
- Tensión de entrada de hasta 650 V
- Diseño simple de circuito abierto para evaluar el rendimiento del LMG3522R030-Q1
- Entrada PWM simple/doble integrada para señal PWM con tiempo muerto variable
- Función de protección contra sobrecorriente ciclo por ciclo
- Puntos de sonda prácticos para mediciones lógicas y de etapas de potencia con sondas de osciloscopio que tienen sondas de resorte de masa cortas