The TPS7H6200-SEP is a 15V e-mode GaN power-FET with integrated gate driver featuring tri-state PWM compatibility, integrated low side current sense, overtemperature protection, and overcurrent protection.
The GaN FET half-bridge die combines the high-side and low-side GaN FETs on one substrate, minimizing parasitic inductance. The device is asymmetrically sized for point-of-load voltage conversion, 1mΩ on the low side and 3mΩ on the high side, optimizing performance and efficiency for typical input to output conversion ratios. As a result, the TPS7H6200-SEP can achieve efficiencies exceeding 89.6% at a typical load of 20A.
| Documentación principal | Tipo | Título | Opciones de formato | Descargar la versión más reciente en inglés | Fecha |
|---|---|---|---|---|---|
| * | Hoja de datos | TPS7H6200-SEP Radiation-Tolerant 52A GaN Half-Bridge Power Stage with Low-Side Current Sense datasheet | PDF | HTML | 23/09/2026 |
Para conocer los términos adicionales o los recursos necesarios, haga clic en cualquier título de abajo para ver la página de detalles cuando esté disponible.
El módulo de evaluación (EVM) TPS7H5101-SEP es un convertidor buck D-CAP+™ bifásico diseñado para cargas de alta corriente a bajas tensiones de salida. El controlador está optimizado para una corriente de 80 A a 0.8 V en un suministro de potencia en el punto de carga, utilizando dos dispositivos (...)
| Encapsulado | Pines | Símbolos CAD, huellas y modelos 3D |
|---|---|---|
| WQFN-FCRLF (VEJ) | 49 | Ultra Librarian |
Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.
El contenido lo proporcionan “tal como está” TI y los colaboradores de la comunidad y no constituye especificaciones de TI. Consulte los términos de uso.
Si tiene alguna pregunta sobre calidad, encapsulados o pedido de productos de TI, consulte el servicio de asistencia de TI.