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TXB0106

ACTIVO

Conversor de nivel de tensión bidireccional de 6 bits con detección de dirección automática y protec

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TXB0106

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Detalles del producto

Bits (#) 6 Data rate (max) (Mbps) 100 Topology Push-Pull Direction control (typ) Auto-direction Vin (min) (V) 1.2 Vin (max) (V) 3.6 Vout (min) (V) 1.65 Vout (max) (V) 5.5 Applications GPIO, I2S, JTAG, PCM, SPI, UART Features Edge rate accelerator, Output enable, Partial power down (Ioff), Vcc isolation Prop delay (ns) 6 Technology family TXB Supply current (max) (mA) 0.039 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
Bits (#) 6 Data rate (max) (Mbps) 100 Topology Push-Pull Direction control (typ) Auto-direction Vin (min) (V) 1.2 Vin (max) (V) 3.6 Vout (min) (V) 1.65 Vout (max) (V) 5.5 Applications GPIO, I2S, JTAG, PCM, SPI, UART Features Edge rate accelerator, Output enable, Partial power down (Ioff), Vcc isolation Prop delay (ns) 6 Technology family TXB Supply current (max) (mA) 0.039 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
TSSOP (PW) 16 32 mm² 5 x 6.4 VQFN (RGY) 16 14 mm² 4 x 3.5
  • 1.2V to 3.6V on A port and 1.65 to 5.5V on B Port (VCCA ≤ VCCB)
  • VCC isolation feature – if either VCC input is at GND, all outputs are in the high-impedance state
  • OE input circuit referenced to VCCA
  • Low-power consumption, 4µA max ICC
  • Ioff supports partial-power-down mode operation
  • Latch-up performance exceeds 100mA per JESD 78, class II
  • ESD protection exceeds JESD 22
    • A port
      • 2500V human body model (A114-B)
      • 150V machine model (A115-A)
      • 1500V charged-device model (C101)
    • B port
      • ±15kV human body model (A114-B)
      • 150V machine model (A115-A)
      • 1500V charged-device model (C101)
  • 1.2V to 3.6V on A port and 1.65 to 5.5V on B Port (VCCA ≤ VCCB)
  • VCC isolation feature – if either VCC input is at GND, all outputs are in the high-impedance state
  • OE input circuit referenced to VCCA
  • Low-power consumption, 4µA max ICC
  • Ioff supports partial-power-down mode operation
  • Latch-up performance exceeds 100mA per JESD 78, class II
  • ESD protection exceeds JESD 22
    • A port
      • 2500V human body model (A114-B)
      • 150V machine model (A115-A)
      • 1500V charged-device model (C101)
    • B port
      • ±15kV human body model (A114-B)
      • 150V machine model (A115-A)
      • 1500V charged-device model (C101)

This 6-bit noninverting translator uses two separate configurable power-supply rails. The A port is designed to track VCCA. VCCA accepts any supply voltage from 1.2V to 3.6V. The B port is designed to track VCCB. VCCB accepts any supply voltage from 1.65V to 5.5V. This allows for universal low-voltage bidirectional translation between any of the 1.2V, 1.5V, 1.8V, 2.5V, 3.3V, and 5V voltage nodes. VCCA must not exceed VCCB.

When the output-enable (OE) input is low, all outputs are placed in the high-impedance state.

The TXB0106 is designed so that the OE input circuit is supplied by VCCA.

This device is fully specified for partial-power-down applications using Ioff. The Ioff circuitry disables the outputs, preventing damaging current backflow through the device during power down.

To verify the high-impedance state during power up or power down, tie the OE to the GND through a pulldown resistor; the minimum value of the resistor is determined by the current-sourcing capability of the driver.

This 6-bit noninverting translator uses two separate configurable power-supply rails. The A port is designed to track VCCA. VCCA accepts any supply voltage from 1.2V to 3.6V. The B port is designed to track VCCB. VCCB accepts any supply voltage from 1.65V to 5.5V. This allows for universal low-voltage bidirectional translation between any of the 1.2V, 1.5V, 1.8V, 2.5V, 3.3V, and 5V voltage nodes. VCCA must not exceed VCCB.

When the output-enable (OE) input is low, all outputs are placed in the high-impedance state.

The TXB0106 is designed so that the OE input circuit is supplied by VCCA.

This device is fully specified for partial-power-down applications using Ioff. The Ioff circuitry disables the outputs, preventing damaging current backflow through the device during power down.

To verify the high-impedance state during power up or power down, tie the OE to the GND through a pulldown resistor; the minimum value of the resistor is determined by the current-sourcing capability of the driver.
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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
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Diseño y desarrollo

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Modelo de simulación

TXB0106 IBIS Model

SCEM556.ZIP (207 KB) - IBIS Model
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Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
TSSOP (PW) 16 Ultra Librarian
VQFN (RGY) 16 Ultra Librarian
Se aplican los Términos y condiciones estándar de TI para los elementos de evaluación.

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Soporte y capacitación

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