CSD17309Q3

アクティブ

3mm x 3mm のシングル SON 封止、6.3mΩ、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

製品詳細

VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 6.3 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 112 QG typ (nC) 7.5 QGD typ (nC) 1.7 Package (mm) SON3x3 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 1.2 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 60 ID - package limited (A) 60 Logic level Yes
VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 6.3 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 112 QG typ (nC) 7.5 QGD typ (nC) 1.7 Package (mm) SON3x3 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 1.2 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 60 ID - package limited (A) 60 Logic level Yes
  • Optimized for 5 V Gate Drive
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Notebook Point of Load
    • Point of Load Synchronous Buck in
      Networking, Telecom, and Computing
      Systems

NexFET Is a trademark of Texas Instruments

  • Optimized for 5 V Gate Drive
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Notebook Point of Load
    • Point of Load Synchronous Buck in
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NexFET Is a trademark of Texas Instruments

This 30 V, 4.2 mΩ NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5 V gate drive applications.

This 30 V, 4.2 mΩ NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5 V gate drive applications.

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技術資料

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設計および開発

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購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。

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