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CSD17484F4

アクティブ

ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、1mm x 0.6mm のシングル LGA 封止、128mΩ、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

製品詳細

VDS (V) 30 VGS (V) 12 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 128 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 160 VGSTH typ (typ) (V) 0.85 QG (typ) (nC) 0.92 QGD (typ) (nC) 0.075 QGS (typ) (nC) 0.28 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3 ID - package limited (A) 3 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 12 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 128 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 160 VGSTH typ (typ) (V) 0.85 QG (typ) (nC) 0.92 QGD (typ) (nC) 0.075 QGS (typ) (nC) 0.28 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3 ID - package limited (A) 3 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJJ) 3 0.6 mm² (1 mm × 0.6 mm)
  • 低オン抵抗
  • 非常に低い Qg および Qgd
  • 低いスレッショルド電圧
  • 非常に小さな外形 (0402 ケース・サイズ)
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 超薄型プロファイル
    • 高さ 0.2mm
  • ESD 保護ダイオード搭載
    • HBM 定格 4kV 超
    • CDM 定格 2kV 超
  • 鉛およびハロゲン不使用
  • RoHS 準拠
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  • 非常に低い Qg および Qgd
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  • ESD 保護ダイオード搭載
    • HBM 定格 4kV 超
    • CDM 定格 2kV 超
  • 鉛およびハロゲン不使用
  • RoHS 準拠

この 99mΩ、30V、N チャネル FemtoFET™ MOSFET は、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、占有面積を 60% 以上減らすことができます。

この 99mΩ、30V、N チャネル FemtoFET™ MOSFET は、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、占有面積を 60% 以上減らすことができます。

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技術資料

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設計と開発

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PICOSTAR (YJJ) 3 Ultra Librarian

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