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ゲートの ESD 保護機能搭載、1mm x 0.6mm の LGA 封止、117mΩ、シングル、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

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製品詳細

VDS (V) 30 VGS (V) 12 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 109 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 117 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 143 VGSTH typ (typ) (V) 0.85 QG (typ) (nC) 1.04 QGD (typ) (nC) 0.133 QGS (typ) (nC) 0.226 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.1 ID - package limited (A) 3.1 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 12 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 109 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 117 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 143 VGSTH typ (typ) (V) 0.85 QG (typ) (nC) 1.04 QGD (typ) (nC) 0.133 QGS (typ) (nC) 0.226 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.1 ID - package limited (A) 3.1 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJC) 3 0.657225 mm² 1.035 x 0.635
  • 超低オン抵抗
  • 非常に低い Qg および Qgd
  • 低スレッショルド電圧
  • 非常に小さな外形 (0402 ケース・サイズ)
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 超薄型プロファイル
    • 0.36mm 高
  • ESD 保護ダイオード搭載
    • HBM 定格 > 4kV
    • CDM 定格 > 2kV
  • 鉛およびハロゲン不使用
  • RoHS 準拠
  • 超低オン抵抗
  • 非常に低い Qg および Qgd
  • 低スレッショルド電圧
  • 非常に小さな外形 (0402 ケース・サイズ)
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 超薄型プロファイル
    • 0.36mm 高
  • ESD 保護ダイオード搭載
    • HBM 定格 > 4kV
    • CDM 定格 > 2kV
  • 鉛およびハロゲン不使用
  • RoHS 準拠

この 90mΩ、30V N チャネル FemtoFET™ MOSFET テクノロジは、多くのハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーションのフットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、フットプリントを 60% 以上減らすことができます。

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この 90mΩ、30V N チャネル FemtoFET™ MOSFET テクノロジは、多くのハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーションのフットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、フットプリントを 60% 以上減らすことができます。

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技術資料

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その他の技術資料 WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
設計ガイド FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 2016年 7月 7日
アプリケーション・ノート Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 2011年 11月 16日

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

CSD1FNCHEVM-889 — FemtoFET N チャネルの評価基板

FemtoFET N チャネル向けのこの評価基板 (EVM) には 7 枚のドーター カードが付属しており、各カードには FemtoFET N チャネルの異なる型番が記載されています。  ドーター カードを使用すると、エンジニアはこれらの超小型デバイスを簡単に接続してテストすることができます。  7 個の FemtoFET は 12V ～ 60V の範囲の VDS (ドレイン ソース間電圧) に対応しており、デバイスのサイズは F3 (0.6 x 0.7mm)、F4 (0.6 x 1.0mm)、F5 (0.8 x 1.5mm) のいずれかです。

ユーザー ガイド: PDF
TI.com で取り扱いなし
サポート・ソフトウェア

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア
ダウンロード
サポート・ソフトウェア

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア
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シミュレーション・モデル

CSD17381F4 TINA-TI Spice Model

SLPM134.TSM (7 KB) - TINA-TI Spice Model
ダウンロード
シミュレーション・モデル

CSD17381F4 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM073A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
ダウンロード
計算ツール

FET-SOA-CALC-SELECT — MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア
ダウンロード
計算ツール

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア
ダウンロード
リファレンス・デザイン

TIDA-01352 — 400W連続、スケーラブル、±2.5～±150V、プログラム可能な超音波電源のリファレンス デザイン

TIDA-01352 は、超音波送信回路に電力を供給するデジタル プログラマブル電源に最適なソリューションを提供し、モジュール型で効率的なパワー スケーリング機能を実現します。このリファレンス デザインはプッシュプル トポロジを使用し、高電圧（HV）、低電圧（LV）、中電圧（MID）の電源を生成します。複数の HV レールは ±50V ～ ±150V の範囲でプログラマブル、また LV と MID の各レールは ±2.5V ～ ±50V の範囲でプログラマブルです。この電源は、各レールで 100W の連続定格電力を供給できます。このプログラム能力は、オンボードの12ビット (...)
設計ガイド: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
PICOSTAR (YJC) 3 Ultra Librarian
TI の評価基板に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブ拠点
  • アセンブリ拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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