CSD17570Q5B

アクティブ

5mm x 6mm のシングル SON 封止、0.92mΩ、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

製品詳細

VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 0.92 Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 0.69 IDM - pulsed drain current (max) (A) 400 QG (typ) (nC) 93 QGD (typ) (nC) 34 QGS (typ) (nC) 27 VGS (V) 20 VGSTH (typ) (V) 1.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 407 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 0.92 Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 0.69 IDM - pulsed drain current (max) (A) 400 QG (typ) (nC) 93 QGD (typ) (nC) 34 QGS (typ) (nC) 27 VGS (V) 20 VGSTH (typ) (V) 1.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 407 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VSON-CLIP (DNK) 8 3E+1 mm² 6 x 5
  • Ultra-Low Resistance
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package
  • Ultra-Low Resistance
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package

This 30 V, 0.56 mΩ, SON 5 × 6 mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize resistance for ORing and hot swap applications and is not intended for switching applications.

This 30 V, 0.56 mΩ, SON 5 × 6 mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize resistance for ORing and hot swap applications and is not intended for switching applications.

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技術資料

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設計および開発

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サポート・ソフトウェア

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SLPC019A.ZIP (375 KB)
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SLPM206.ZIP (4 KB) - TINA-TI Spice Model
シミュレーション・モデル

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この回路は、ライン・カードの片面に実装できます。

Vin = 12V、ILoad = 60A

試験報告書: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 ダウンロード
VSON-CLIP (DNK) 8 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材料 (内容)
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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