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CSD16570Q5B

アクティブ

5mm x 6mm のシングル SON 封止、0.82mΩ、25V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

製品詳細

VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 0.82 Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 0.59 IDM - pulsed drain current (max) (A) 400 QG (typ) (nC) 95 QGD (typ) (nC) 31 QGS (typ) (nC) 29 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 1.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 456 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 0.82 Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 0.59 IDM - pulsed drain current (max) (A) 400 QG (typ) (nC) 95 QGD (typ) (nC) 31 QGS (typ) (nC) 29 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 1.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 456 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VSON-CLIP (DNK) 8 3E+1 mm² 6 x 5
  • Extremely Low Resistance
  • Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • Extremely Low Resistance
  • Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package

This 25 V, 0.49 mΩ, SON 5 × 6 mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize resistance for ORing and hot swap applications and is not designed for switching applications.

This 25 V, 0.49 mΩ, SON 5 × 6 mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize resistance for ORing and hot swap applications and is not designed for switching applications.

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技術資料

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* データシート CSD16570Q5B 25-V N-Channel NexFET Power MOSFET データシート (Rev. A) PDF | HTML 2017年 5月 19日
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設計および開発

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サポート・ソフトウェア

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

SLPC019A.ZIP (375 KB)
シミュレーション・モデル

CSD16570Q5B TINA-TI Spice Model

SLPM200.ZIP (4 KB) - TINA-TI Spice Model
シミュレーション・モデル

CSD16570Q5B Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM132B.ZIP (3 KB) - PSpice Model
計算ツール

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
計算ツール

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 同期降圧コンバータ・アプリケーション向けの MOSFET 電力損失計算機

サイズ、コスト、性能の観点でトレードオフを迅速に検討し、アプリケーションの各種条件に基づいて最適な MOSFET を選定することができます。
リファレンス・デザイン

PMP23126 — アクティブ・クランプ搭載、270W/立方インチ (16.48W/立方 cm) を上回る電力密度、3kW 位相シフト・フルブリッジのリファレンス・デザイン

このリファレンス・デザインは、電力密度の最大化を目標とする、GaN ベースの 3kW 位相シフト・フルブリッジ (PSFB) です。このデザインは、複数の 2 次側同期整流 MOSFET への電圧ストレスを最小化する目的でアクティブ・クランプを採用しているので、より良好な性能指数 (FoM) を達成する、電圧定格のより低い MOSFET を複数使用することができます。PMP23126 は、1 次側で TI の 30mΩ の GaN、2 次側で複数のシリコン MOSFET を使用しています。LMG3522 は、ドライバと保護機能を内蔵した上側冷却 GaN であり、Si MOSFET (...)
試験報告書: PDF
リファレンス・デザイン

PMP40182 — 双方向バッテリ初期化システム電源ボードのリファレンス・デザイン

This reference design is a battery initialization reference design solution for automotive and battery applications. The module enables a high efficiency single stage conversion for charging and discharging the battery. This design features a 0.1% accurate current control loop using the high (...)
試験報告書: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 ダウンロード
VSON-CLIP (DNK) 8 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材料 (内容)
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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