データシート
CSD16570Q5B
- Extremely Low Resistance
- Low Qg and Qgd
- Low Thermal Resistance
- Avalanche Rated
- Pb Free Terminal Plating
- RoHS Compliant
- Halogen Free
- SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
This 25 V, 0.49 mΩ, SON 5 × 6 mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize resistance for ORing and hot swap applications and is not designed for switching applications.
技術資料
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10 をすべて表示 | 種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | CSD16570Q5B 25-V N-Channel NexFET Power MOSFET データシート (Rev. A) | PDF | HTML | 2017年 5月 19日 | ||
| アプリケーション・ノート | MOSFET Support and Training Tools (Rev. B) | PDF | HTML | 2023年 3月 29日 | |||
| アプリケーション・ノート | Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design | PDF | HTML | 2023年 3月 13日 | |||
| アプリケーション・ノート | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 2022年 5月 31日 | |||
| 技術記事 | Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs | 2019年 2月 8日 | ||||
| アプリケーション・ノート | QFN and SON PCB Attachment (Rev. B) | PDF | HTML | 2018年 8月 24日 | |||
| アプリケーション・ノート | Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. C) | PDF | HTML | 2016年 4月 19日 | |||
| 技術記事 | When to use load switches in place of discrete MOSFETs | 2016年 2月 3日 | ||||
| 技術記事 | 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly | 2015年 10月 8日 | ||||
| アプリケーション・ノート | Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs | 2011年 11月 16日 |
設計および開発
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計算ツール
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter
MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
計算ツール
SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 同期降圧コンバータ・アプリケーション向けの MOSFET 電力損失計算機
サイズ、コスト、性能の観点でトレードオフを迅速に検討し、アプリケーションの各種条件に基づいて最適な MOSFET を選定することができます。
リファレンス・デザイン
PMP23126 — アクティブ・クランプ搭載、270W/立方インチ (16.48W/立方 cm) を上回る電力密度、3kW 位相シフト・フルブリッジのリファレンス・デザイン
このリファレンス・デザインは、電力密度の最大化を目標とする、GaN ベースの 3kW 位相シフト・フルブリッジ (PSFB) です。このデザインは、複数の 2 次側同期整流 MOSFET への電圧ストレスを最小化する目的でアクティブ・クランプを採用しているので、より良好な性能指数 (FoM) を達成する、電圧定格のより低い MOSFET を複数使用することができます。PMP23126 は、1 次側で TI の 30mΩ の GaN、2 次側で複数のシリコン MOSFET を使用しています。LMG3522 は、ドライバと保護機能を内蔵した上側冷却 GaN であり、Si MOSFET (...)
試験報告書: PDF
リファレンス・デザイン
PMP40182 — 双方向バッテリ初期化システム電源ボードのリファレンス・デザイン
This reference design is a battery initialization reference design solution for automotive and battery applications. The module enables a high efficiency single stage conversion for charging and discharging the battery. This design features a 0.1% accurate current control loop using the high (...)
| パッケージ | ピン数 | ダウンロード |
|---|---|---|
| VSON-CLIP (DNK) | 8 | オプションの表示 |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL rating / リフローピーク温度
- MTBF/FIT 推定値
- 材料 (内容)
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。