データシート
CSD16570Q5B
- Extremely Low Resistance
- Low Qg and Qgd
- Low Thermal Resistance
- Avalanche Rated
- Pb Free Terminal Plating
- RoHS Compliant
- Halogen Free
- SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
This 25 V, 0.49 mΩ, SON 5 × 6 mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize resistance for ORing and hot swap applications and is not designed for switching applications.
技術資料
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| 上位の文書 | タイプ | タイトル | フォーマットオプション | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | CSD16570Q5B 25-V N-Channel NexFET Power MOSFET データシート (Rev. A) | PDF | HTML | 2017/05/19 | ||
| アプリケーション・ノート | MOSFET サポート / トレーニング ツール (Rev. G 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.G) | PDF | HTML | 2025/11/18 | |
| アプリケーション概要 | パワー MOSFET のリーク電流の推定 | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2025/11/07 | |
| アプリケーション・ノート | 半導体および IC パッケージの熱評価基準 (Rev. D 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.D) | PDF | HTML | 2025/05/08 | |
| アプリケーション・ノート | Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design | PDF | HTML | 2023/12/18 | |||
| アプリケーション・ノート | QFN and SON PCB Attachment (Rev. C) | PDF | HTML | 2023/12/06 | |||
| アプリケーション・ノート | Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design | PDF | HTML | 2023/03/13 | |||
| アプリケーション概要 | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 2022/05/31 | |||
| アプリケーション・ノート | Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs | 2011/11/16 |
設計と開発
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サポート・ソフトウェア
LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch
サイズ、コスト、性能の観点でトレードオフを迅速に検討し、アプリケーションの各種条件に基づいて最適な MOSFET を選定することができます。
サポート・ソフトウェア
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator
MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
計算ツール
FET-SOA-CALC-SELECT — MOSFET SOA calculation and selection tool
Excel based FET SOA calculation and selection tool
計算ツール
SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter
サイズ、コスト、性能の観点でトレードオフを迅速に検討し、アプリケーションの各種条件に基づいて最適な MOSFET を選定することができます。
リファレンス・デザイン
PMP23126 — アクティブ クランプ搭載、270W/立方インチ (16.48W/立方 cm) を上回る電力密度、3kW 位相シフト フルブリッジのリファレンス デザイン
このリファレンス デザインは、電力密度の最大化を目標とする、GaN ベースの 3kW 位相シフト フルブリッジ (PSFB) です。このデザインは、複数の 2 次側同期整流 MOSFET への電圧ストレスを最小化する目的でアクティブ クランプを採用しているので、より良好な性能指数 (FoM) を達成する、電圧定格のより低い MOSFET を複数使用することができます。PMP23126 は、1 次側に テキサス・インスツルメンツの 30mΩ の GaN、2 次側にシリコン MOSFET を使用しています。LMG3522 は、ドライバと保護機能を内蔵した上面冷却 GaN であり、Si (...)
リファレンス・デザイン
PMP40182 — 双方向バッテリ初期化システム電源ボードのリファレンス デザイン
このリファレンス デザインは、車載およびバッテリ アプリケーション用のバッテリ初期化リファレンス デザイン ソリューションです。このモジュールにより、バッテリの充電と放電のために高効率のシングル ステージ変換が可能になります。このデザインでは、高性能の INA225 電流センスアンプを使用して、0.1% 精度の電流制御ループを採用しています。この設計はコンパクトなフォーム ファクタ (40mm X 143mm X 20mm) で実現されています。
リファレンス・デザイン
PMP40586 — 1kW、デジタル制御、電流モード LLC のリファレンス デザイン
このリファレンス デザインは、業界初のデジタル ハイブリッド ヒステリシス制御 (HHC) ソリューションであり、12V ～ 54V を出力するサーバー PSU (電源) アプリケーションを対象にしています。このリファレンス デザインは、400V を 12V に変換する 1kW LLC 電力段で UCD3138 を使用して HHC 制御を行う利点を提示します。このデザインは、8kHz のピーク ループ帯域幅を実現しています。このデザインは、2.5A/μs のスルーレートで 0% から 100% への負荷過渡が発生したときに 500mV 未満のピーク ツー ピーク偏差、また2.5A/μs (...)
リファレンス・デザイン
PMP41081 — C2000™ リアルタイム マイコン使用、1kW、12V、HHC (ハイブリッド ヒステリシス制御) LLC (インダクタ インダクタ コンデンサ) のリファレンス デザイン
このリファレンス デザインは、1kW、400V から 12V の変換を行うハーフブリッジ共振 DC/DC プラットフォームであり、F280039C マイコンを使用したハイブリッド ヒステリシス制御 (HHC) の負荷過渡性能を評価する目的で使用できます。HHC は、直接周波数制御 (DFC) と電荷制御を組み合わせた方式であり、追加の周波数補償ランプを使用して電荷を制御します。HHC の場合、内部ループを追加すると、インダクタ インダクタ コンデンサ (LLC) 段の負荷過渡応答性能を向上させることができます。
リファレンス・デザイン
TIDA-010087 — 100A、2 相、デジタル制御バッテリ テスタのリファレンス デザイン
このリファレンスデザインは、C2000™マイクロコントローラ（MCU）と高精度ADC ADS131M08を使用して、双方向インターリーブ降圧コンバータのパワー段の電流と電圧を正確に制御する方法を示しています。この設計では、C2000 MCUの高分解能パルス幅変調（PWM）生成周辺機能を利用することで、電流制御誤差を±20mA未満、電圧制御誤差を±1mVに抑えています。
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| VSON-CLIP (DNK) | 8 | Ultra Librarian |
購入と品質
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。