CSD23381F4
- 非常に低いオン抵抗
- 非常に低い Qg および Qgd
- 大きな動作時ドレイン電流
- 非常に小さな外形 (0402 ケース・サイズ)
- 1.0mm × 0.6mm
- 超薄型プロファイル
- 最大の高さ：0.36mm
- ESD 保護ダイオード搭載
- HBM 定格 4kV 超
- CDM 定格 2kV 超
- 鉛およびハロゲン不使用
- RoHS 準拠
この 150mΩ、12V P チャネル FemtoFET™ MOSFETは、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、占有面積を 60% 以上減らすことができます。
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技術資料
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設計と開発
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