データシート
CSD85312Q3E
- Common Source Connection
- Low Drain to Drain On-Resistance
- Space Saving SON 3.3 × 3.3 mm Plastic
Package - Optimized for 5 V Gate Drive
- Low Thermal Resistance
- Avalanche Rated
- Pb-Free Terminal Plating
- RoHS Compliant
- Halogen Free
The CSD85312Q3E is a 20 V common-source, dual N-channel device designed for adaptor or USB input protection. This SON 3.3 × 3.3 mm device has low drain to drain on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained multi-cell battery charging applications.
技術資料
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| 上位の文書 | タイプ | タイトル | フォーマットオプション | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | Dual 20 V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs, CSD85312Q3E データシート | 2013/11/08 | |||
| アプリケーション・ノート | MOSFET サポート / トレーニング ツール (Rev. G 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.G) | PDF | HTML | 2025/11/18 | |
| アプリケーション概要 | パワー MOSFET のリーク電流の推定 | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2025/11/07 | |
| アプリケーション・ノート | 半導体および IC パッケージの熱評価基準 (Rev. D 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.D) | PDF | HTML | 2025/05/08 | |
| アプリケーション・ノート | Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design | PDF | HTML | 2023/12/18 | |||
| アプリケーション・ノート | QFN and SON PCB Attachment (Rev. C) | PDF | HTML | 2023/12/06 | |||
| アプリケーション・ノート | Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design | PDF | HTML | 2023/03/13 | |||
| アプリケーション概要 | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 2022/05/31 | |||
| アプリケーション・ノート | Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs | 2011/11/16 |
設計と開発
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評価ボード
TPS25830Q1EVM-040 — TPS25830-Q1 ケーブル補償機能と電流制限機能搭載、USB Type-C® と USB BC (バッテリ充電) 1.2 の評価基板
TPS25830Q1EVM-040 は、ケーブル補償機能搭載、USB Type-C® と BC1.2 に対応、5V、3.5A 出力、36V 入力の同期整流降圧向けの評価基板 (EVM) です。この評価基板 (EVM) は、電源端子台と、デバイスの充電やデータ通信を実施するための USB Type-A コネクタと USB Type-C コネクタを実装済みです。ケーブル補償、電流制限、DC/DC の動作周波数は、評価基板 (EVM) 上の抵抗を使用して調整できます。
ユーザー ガイド:
PDF
在庫あり
制限：
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入手不可
評価ボード
TPS25831Q1EVM-062 — ケーブル補償機能と電流制限機能を搭載した TPS25831-Q1 USB Type-C と BC1.2 同期整流降圧の評価基板
開始に必要な事項
ステップ 1：ハードウェアを注文します
ステップ 3：設計ガイドラインおよびアプリケーション ノートのダウンロード
ステップ 4：最新のリファレンス デザインをダウンロード
ステップ 1：ハードウェアを注文します
- TPS25831-Q1 および TPS25833-Q1 のサンプル請求も行います
ステップ 3：設計ガイドラインおよびアプリケーション ノートのダウンロード
ステップ 4：最新のリファレンス デザインをダウンロード
ユーザー ガイド:
PDF
在庫あり
制限：
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入手不可
サポート・ソフトウェア
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator
MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
計算ツール
SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter
サイズ、コスト、性能の観点でトレードオフを迅速に検討し、アプリケーションの各種条件に基づいて最適な MOSFET を選定することができます。
リファレンス・デザイン
PMP40544 — 3m USB-IF 近端準拠の車載 USB Type-A 充電器のリファレンス デザイン
このリファレンス デザインは、3m (3 メートル) のケーブル使用時に USB-IF ニア エンドの規格に準拠する、車載 USB Type-A チャージャを意図しています。TPS25840-Q1 を DC/DC レギュレータおよびデータ スイッチとして使用し、TUSB217-Q1 を信号品質を向上させるための高速シグナル コンディショナとして使用しています。このソリューションの効率は 12W 出力時に 93.3% であり、温度上昇は 20.5℃ で済みます。プログラマブル ケーブル ドループ補償は、負荷が重い状況でもポータブル (...)
リファレンス・デザイン
PMP40725 — CISPR 25 クラス 5 400kHz 定格 12W 車載用 USB Type-A チャージャ リファレンス デザイン
このリファレンス デザインは、単一 12W 出力の車載 USB Type-A チャージャ向け EMI 最適化済みデザインです。TPS25846-Q1 は、DC/DC レギュレータとポート コントローラで使用できます。スイッチング周波数は 400kHz です。CISPR 25 Class 5 の厳格な伝導型電磁干渉（EMI）規格合格にするように、フロント エンド フィルタが設計され、PCB レイアウトが最適化されています。このリファレンス デザインは、CISPR 25 Class 5 の厳格な伝導型電磁干渉（EMI）規格に対して既にテスト済みです。
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| VSON (DPA) | 8 | Ultra Librarian |
購入と品質
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。