CSD87501L
ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、デュアル コモン ドレイン LGA、5.5mΩ、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET
CSD87501L
- 低オン抵抗
- 3.37mm× 1.47mm の小さな占有面積
- 超低プロファイル - 高さ 0.2mm
- 鉛不使用
- RoHS に準拠
- ハロゲン不使用
- ゲート ESD 保護
この 30V、6.6mΩ、3.37mm × 1.47mm LGA のデュアル NexFET™パワー MOSFET は、小さな占有面積で抵抗およびゲート電荷を最小化するよう設計されています。サイズが小さく共通ドレインの構成なので、このデバイスはマルチセルのバッテリ・パック・アプリケーションや小型のハンドヘルド・デバイスに理想的です。
技術資料
| 上位の文書 | タイプ | タイトル | フォーマットオプション | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | CSD87501L 30V デュアル共通ドレイン N チャネル NexFETパワーMOSFET データシート (Rev. B 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2020/03/26 |
| アプリケーション・ノート | MOSFET サポート / トレーニング ツール (Rev. G 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.G) | PDF | HTML | 2025/11/18 | |
| アプリケーション概要 | パワー MOSFET のリーク電流の推定 | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2025/11/07 | |
| アプリケーション・ノート | 半導体および IC パッケージの熱評価基準 (Rev. D 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.D) | PDF | HTML | 2025/05/08 | |
| アプリケーション・ノート | Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design | PDF | HTML | 2023/12/18 | |||
| アプリケーション・ノート | Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs | PDF | HTML | 2023/12/14 | |||
| アプリケーション・ノート | Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design | PDF | HTML | 2023/03/13 | |||
| アプリケーション概要 | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 2022/05/31 | |||
| 設計ガイド | FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) | 2016/07/07 |
設計と開発
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