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JFE2140

アクティブ

デュアル、超低ノイズ、小さいゲート電流、オーディオ向けの N チャネル JFET

製品詳細

Vn at 1 kHz (nV√Hz) 0.9 Breakdown voltage (V) 40 VDS (V) 40 VGS (V) -40 VGSTH typ (typ) (V) 1.2 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
Vn at 1 kHz (nV√Hz) 0.9 Breakdown voltage (V) 40 VDS (V) 40 VGS (V) -40 VGSTH typ (typ) (V) 1.2 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 WSON (DSG) 8 4 mm² 2 x 2
  • 超低ノイズ:
    • 電圧ノイズ:
      • 1kHz、I DS = 5mA で 0.9nV/√ Hz
      • 1kHz、I DS = 2mA で 1.1nV/√ Hz
    • 電流ノイズ:1kHz で 1.6fA/√ Hz
  • 小さい V GS ミスマッチ:4mV (最大値)
  • 低ゲート電流:10pA (最大値)
  • 低入力容量:V DS = 5V で 13pF

  • ゲート - ドレイン間およびゲート - ソース間の高ブレークダウン電圧:-40V

  • 高相互コンダクタンス:30mS

  • パッケージ:SOIC、2mm × 2mm WSON

  • 超低ノイズ:
    • 電圧ノイズ:
      • 1kHz、I DS = 5mA で 0.9nV/√ Hz
      • 1kHz、I DS = 2mA で 1.1nV/√ Hz
    • 電流ノイズ:1kHz で 1.6fA/√ Hz
  • 小さい V GS ミスマッチ:4mV (最大値)
  • 低ゲート電流:10pA (最大値)
  • 低入力容量:V DS = 5V で 13pF

  • ゲート - ドレイン間およびゲート - ソース間の高ブレークダウン電圧:-40V

  • 高相互コンダクタンス:30mS

  • パッケージ:SOIC、2mm × 2mm WSON

JFE2140 は、テキサス・インスツルメンツの最新の高性能アナログ・バイポーラ・プロセスで構築された Burr-Brown™ オーディオのマッチドペア・ディスクリート JFET です。JFE2140 は、従来のディスクリート JFET テクノロジーでは利用できなかった性能を備えています。JFE2140 はすべての電流範囲にわたって優れたノイズ性能を発揮します。その際、静止電流は 50µA~20mA に設定できます。5mA でバイアスすると、入力換算ノイズ 0.9nV/√ Hz が得られ、超高入力インピーダンス (1TΩ 超) で超低ノイズ性能を実現します。また、JFET 間のマッチングが ±4mV であることがテストされており、差動ペア構成に適した低オフセットおよび高 CMRR 性能を提供しています。また、JFE2140 は、個別のクランプノードに接続されたダイオードも内蔵しており、高リークの非線形外部ダイオードを追加せずに保護機能を提供します。

JFE2140 は 40V という高いドレイン - ソース間電圧と、最低 -40V までのゲート - ソース間およびゲート - ドレイン間電圧に耐えます。温度範囲は -40℃~+125℃と規定されています。

JFE2140 は、テキサス・インスツルメンツの最新の高性能アナログ・バイポーラ・プロセスで構築された Burr-Brown™ オーディオのマッチドペア・ディスクリート JFET です。JFE2140 は、従来のディスクリート JFET テクノロジーでは利用できなかった性能を備えています。JFE2140 はすべての電流範囲にわたって優れたノイズ性能を発揮します。その際、静止電流は 50µA~20mA に設定できます。5mA でバイアスすると、入力換算ノイズ 0.9nV/√ Hz が得られ、超高入力インピーダンス (1TΩ 超) で超低ノイズ性能を実現します。また、JFET 間のマッチングが ±4mV であることがテストされており、差動ペア構成に適した低オフセットおよび高 CMRR 性能を提供しています。また、JFE2140 は、個別のクランプノードに接続されたダイオードも内蔵しており、高リークの非線形外部ダイオードを追加せずに保護機能を提供します。

JFE2140 は 40V という高いドレイン - ソース間電圧と、最低 -40V までのゲート - ソース間およびゲート - ドレイン間電圧に耐えます。温度範囲は -40℃~+125℃と規定されています。

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート JFE2140 超低ノイズ、マッチング、デュアル、低ゲート電流、ディスクリート、オーディオ、N チャネル JFET データシート (Rev. B 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2023年 9月 28日
アプリケーション概要 Ultra-Low-Noise JFET Preamplifier Design for High Impedance Sensors PDF | HTML 2024年 5月 16日
アプリケーション・ノート JFE2140 Ultra-Low-Noise Pre-Amplifier PDF | HTML 2023年 3月 2日
ユーザー・ガイド JFE2140 Evaluation Module Users Guide PDF | HTML 2022年 9月 20日
証明書 JFE2140EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) 2022年 9月 7日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

DIP-ADAPTER-EVM — DIP アダプタの評価基板

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DIP-Adapter-EVM キットは、業界標準の最も一般的なパッケージをサポートしています:

  • D と U(SOIC-8)
  • PW(TSSOP-8)
  • DGK(MSOP-8、VSSOP-8)
  • DBV(SOT23-6、SOT23-5、SOT23-3)
  • DCK(SC70-6、SC70-5)
  • DRL(SOT563-6)
ユーザー ガイド: PDF
評価ボード

JFE2140EVM — JFE2140 超低ノイズ、低ゲート電流、オーディオ、Nチャネル JFET の評価基板

JFE2140 評価基板 (EVM) を使用すると、JFE2140 の基本機能を評価できます。この評価基板 (EVM) は閉ループのプリアンプ構成を採用しており、±5V の分割電源電圧で 60dB のゲインを達成します。さまざまな回路構成に合わせて、開発ユーザーが変更を加えることができます。

ユーザー ガイド: PDF | HTML
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TINA は DesignSoft (...)

ユーザー ガイド: PDF
英語版 (Rev.A): PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
WSON (DSG) 8 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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