JFE2140

アクティブ

デュアル、超低ノイズ、小さいゲート電流、オーディオ向けの N チャネル JFET

製品詳細

Number of channels 2 Vn at 1 kHz (nV√Hz) 0.9 Breakdown voltage (V) 40 VDS (V) 40 VGS (V) -40 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
Number of channels 2 Vn at 1 kHz (nV√Hz) 0.9 Breakdown voltage (V) 40 VDS (V) 40 VGS (V) -40 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
WSON (DSG) 8 4 mm² (2 mm × 2 mm) SOIC (D) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm)
  • 超低ノイズ:
    • 電圧ノイズ:
      • 1kHz、I DS = 5mA で 0.9nV/√ Hz
      • 1kHz、I DS = 2mA で 1.1nV/√ Hz
    • 電流ノイズ:1kHz で 1.6fA/√ Hz
  • 小さい V GS ミスマッチ:4mV (最大値)
  • 低ゲート電流:10pA (最大値)
  • 低入力容量:V DS = 5V で 13pF

  • ゲート - ドレイン間およびゲート - ソース間の高ブレークダウン電圧:-40V

  • 高相互コンダクタンス:30mS

  • パッケージ:SOIC、2mm × 2mm WSON

  • 超低ノイズ:
    • 電圧ノイズ:
      • 1kHz、I DS = 5mA で 0.9nV/√ Hz
      • 1kHz、I DS = 2mA で 1.1nV/√ Hz
    • 電流ノイズ:1kHz で 1.6fA/√ Hz
  • 小さい V GS ミスマッチ:4mV (最大値)
  • 低ゲート電流:10pA (最大値)
  • 低入力容量:V DS = 5V で 13pF

  • ゲート - ドレイン間およびゲート - ソース間の高ブレークダウン電圧:-40V

  • 高相互コンダクタンス:30mS

  • パッケージ:SOIC、2mm × 2mm WSON

JFE2140 は、テキサス・インスツルメンツの最新の高性能アナログ・バイポーラ・プロセスで構築された Burr-Brown™ オーディオのマッチドペア・ディスクリート JFET です。JFE2140 は、従来のディスクリート JFET テクノロジーでは利用できなかった性能を備えています。JFE2140 はすべての電流範囲にわたって優れたノイズ性能を発揮します。その際、静止電流は 50µA~20mA に設定できます。5mA でバイアスすると、入力換算ノイズ 0.9nV/√ Hz が得られ、超高入力インピーダンス (1TΩ 超) で超低ノイズ性能を実現します。また、JFET 間のマッチングが ±4mV であることがテストされており、差動ペア構成に適した低オフセットおよび高 CMRR 性能を提供しています。また、JFE2140 は、個別のクランプノードに接続されたダイオードも内蔵しており、高リークの非線形外部ダイオードを追加せずに保護機能を提供します。

JFE2140 は 40V という高いドレイン - ソース間電圧と、最低 -40V までのゲート - ソース間およびゲート - ドレイン間電圧に耐えます。温度範囲は -40℃~+125℃と規定されています。

JFE2140 は、テキサス・インスツルメンツの最新の高性能アナログ・バイポーラ・プロセスで構築された Burr-Brown™ オーディオのマッチドペア・ディスクリート JFET です。JFE2140 は、従来のディスクリート JFET テクノロジーでは利用できなかった性能を備えています。JFE2140 はすべての電流範囲にわたって優れたノイズ性能を発揮します。その際、静止電流は 50µA~20mA に設定できます。5mA でバイアスすると、入力換算ノイズ 0.9nV/√ Hz が得られ、超高入力インピーダンス (1TΩ 超) で超低ノイズ性能を実現します。また、JFET 間のマッチングが ±4mV であることがテストされており、差動ペア構成に適した低オフセットおよび高 CMRR 性能を提供しています。また、JFE2140 は、個別のクランプノードに接続されたダイオードも内蔵しており、高リークの非線形外部ダイオードを追加せずに保護機能を提供します。

JFE2140 は 40V という高いドレイン - ソース間電圧と、最低 -40V までのゲート - ソース間およびゲート - ドレイン間電圧に耐えます。温度範囲は -40℃~+125℃と規定されています。

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技術資料

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* データシート JFE2140 超低ノイズ、マッチング、デュアル、低ゲート電流、ディスクリート、オーディオ、N チャネル JFET データシート (Rev. B 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2023/09/28
アプリケーション概要 Ultra-Low-Noise JFET Preamplifier Design for High Impedance Sensors PDF | HTML 2024/05/16
アプリケーション・ノート JFE2140 Ultra-Low-Noise Pre-Amplifier PDF | HTML 2023/03/02
証明書 JFE2140EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) 2022/09/07

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

DIP-ADAPTER-EVM — DIP アダプタの評価基板

DIP-Adapter-EVM は、オペアンプの迅速なプロトタイプ製作とテストを可能にする評価基板です。小型の表面実装 IC とのインターフェイスを迅速、容易、低コストで実現します。付属の Samtec 端子ストリップか、回路への直接配線により、サポートされているオペアンプを接続できます。

DIP-Adapter-EVM キットは、業界標準の最も一般的なパッケージをサポートしています:

  • D と U(SOIC-8)
  • PW(TSSOP-8)
  • DGK(MSOP-8、VSSOP-8)
  • DBV(SOT23-6、SOT23-5、SOT23-3)
  • DCK(SC70-6、SC70-5)
  • DRL(SOT563-6)
サポート対象の製品とハードウェア
在庫あり
制限:
??asset.out-of-stock-ti_ja_JP??
入手不可
評価ボード

JFE2140EVM — JFE2140 デュアル、超低ノイズ、小さいゲート電流、オーディオ、Nチャネル JFET の評価基板

JFE2140 評価基板 (EVM) を使用すると、JFE2140 の基本機能を評価できます。この EVM は閉ループのプリアンプ構成を採用しており、±5V の分割電源電圧で 60dB を実現。さまざまな回路構成に合わせて、開発ユーザーが変更を加えることができます。

ユーザー ガイド: PDF | HTML
サポート対象の製品とハードウェア
在庫あり
制限:
??asset.out-of-stock-ti_ja_JP??
入手不可
シミュレーション・モデル

JFEx140 TINA-TI Reference Design

SLPM356 (137 KB) - TINA-TI リファレンス・デザイン
サポート対象の製品とハードウェア
シミュレーション・モデル

JFEx140 PSpice Model

SLPM355.ZIP (53 KB) - PSpice モデル
サポート対象の製品とハードウェア
シミュレーション・モデル

JFEx140 TINA-TI Spice Model

SLPM357.ZIP (2 KB) - TINA-TI Spice モデル
サポート対象の製品とハードウェア
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
WSON (DSG) 8 Ultra Librarian
SOIC (D) 8 Ultra Librarian

購入と品質

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