JFE2325
- Monolithic, matched, N-Channel JFETs
- Self-biased gates for high input impedance (>400GOhm)
- Low input capacitance: 0.85pF per JFET
- Low noise: ˗110dBV(A-wt.) with 5pF input capacitance
- Low VGS mismatch: 30mV (max)
- Low IDSS mismatch: 5% (max)
- High gate-to-drain breakdown voltage: 30V
- Extremely Small Package: 0.8mm × 1mm X2SON
The JFE2325 is a monolithic, matched-pair discrete JFET intended for use with very high-impedance sensors such as electret condenser microphones (ECMs). The device consists of two N-channel JFETs, laid out for excellent matching on a single die. The gate of each JFET is biased by an integrated diode which allows for direct coupling of a signal source to the gate without the need for a biasing resistor. The JFE2325 achieves much higher input impedance (>400GOhm) than possible if discrete resistors were used to bias the gate. Furthermore, the JFE2325 features an extremely low input capacitance of 0.85pF per JFET which maximizes signal levels from transducers with extremely low output capacitance.
Each JFET is capable of 0.7mS of transconductance when configured to run at the full drain current of 385µA. The JFETs can be used individually, or in parallel for higher transconductance and lower noise.
The JFE2325 can withstand a high gate-to-drain voltage of 30V. The temperature range is specified from –40°C to +125°C.
技術資料
| 上位の文書 | タイプ | タイトル | フォーマットオプション | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | JFE2325 Dual, Low-Power, N-Channel JFET for Electret Microphones データシート (Rev. A) | PDF | HTML | 2026年 6月 18日 | ||
| EVM ユーザー ガイド (英語) | JFE2325EVM, | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2026年 2月 6日 |
設計と開発
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JFE2325EVM — JFE2325 評価基板
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| X2SON (DTQ) | 6 | Ultra Librarian |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブ拠点
- アセンブリ拠点