JFE2325
- モノリシック、マッチング済み、N チャネル JFET
- 高入力インピーダンス (>400GΩ) 向け自己バイアス ゲート
- 低入力容量：JFET あたり 0.85pF
- 低ノイズ：˗110dBV(A-wt.)、5pF 入力容量
- 小さい VGS ミスマッチ：30mV (最大値)
- 小さい IDSS ミスマッチ：5% (最大)
- ゲート ドレイン間の高ブレークダウン電圧：30V
- 超小型パッケージ：0.8mm × 1mm X2SON
JFE2325 は、エレクトレット コンデンサ マイク (ECM) などの非常にハイインピーダンスのセンサとともに使用するよう設計された、モノリシック マッチド ペアのディスクリート JFET です。このデバイスは 2 つの N チャネル JFET で構成され、シングル ダイ上で優れたマッチングを実現するように配置されています。各 JFET のゲートは内蔵ダイオードによりバイアスされるため、バイアス抵抗なしで信号ソースをゲートに直接結合できます。JFE2325 は、ゲートをバイアスするためにディスクリート抵抗を使う場合よりもはるかに高い入力インピーダンス (>400GΩ) を実現します。さらに、JFE2325 の入力容量は JFET あたり 0.85pF と非常に小さく、非常に小さい出力容量を使用してトランスデューサからの信号レベルを最大化できます。
各 JFET は、385µA のフル ドレイン電流で動作するように構成すると、0.7ms の相互コンダクタンスを実現できます。JFET は個別に使用することも、より高い相互コンダクタンスおよび低ノイズを実現するために並列に使用することもできます。
JFE2325 は 30V の高いゲート ドレイン間電圧に耐えられます。動作温度範囲の仕様は -40℃～+125℃です。
技術資料
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| 上位の文書 | タイプ | タイトル | フォーマットオプション | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | JFE2325 デュアル、ローパワー、N チャネル JFET、エレクトレット マイク向け データシート (Rev. A 翻訳版) | PDF | HTML | 2026年 6月 18日 | ||
| EVM ユーザー ガイド (英語) | JFE2325EVM, | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2026年 2月 6日 |
設計と開発
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評価ボード
JFE2325EVM — JFE2325 評価基板
JFE2325 評価ボードは、DTQ パッケージに封止した JFE2325 デバイスを、使いやすい標準的なデュアル 300mil 幅の PDIP フットプリントに変換します。この PCB は標準の PDIP ソケットで使用できます。基板のサイズは 550mil × 600mil です。
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| X2SON (DTQ) | 6 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
- ファブ拠点
- アセンブリ拠点