LM74610-Q1
- Qualified for Automotive Applications
- AEC-Q100 Qualified With the Following Results:
- Exceeds HBM ESD Classification Level 2
- Device CDM ESD Classification Level C4B
- Maximum reverse voltage of 45 V
- No Positive Voltage limitation to Anode Terminal
- Charge Pump Gate Driver for External N-Channel
MOSFET - Lower Power Dissipation than Schottky
Diode/PFET Solutions - Low Reverse Leakage Current
- Zero IQ
- Fast 2-µs Response to Reverse Polarity
- –40°C to +125°C Operating Ambient Temperature
- Can be Used in OR-ing Applications
- Meets CISPR25 EMI Specification
- Meets Automotive ISO7637 Transient
Requirements with a Suitable TVS Diode - No Peak Current Limit
The LM74610-Q1 is a controller device that can be used with an N-Channel MOSFET in a reverse polarity protection circuitry. It is designed to drive an external MOSFET to emulate an ideal diode rectifier when connected in series with a power source. A unique advantage of this scheme is that it is not referenced to ground and thus has Zero Iq.
The LM74610-Q1 controller provides a gate drive for an external N-Channel MOSFET and a fast response internal comparator to discharge the MOSFET Gate in the event of reverse polarity. This fast pull-down feature limits the amount and duration of reverse current flow if opposite polarity is sensed. The device design also meets CISPR25 Class 5 EMI specifications and automotive ISO7637 transient requirements with a suitable TVS diode.
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LM74610-Q1 Unencrypted PSpice Transient Model Package (Rev. C)
多くの TI リファレンス デザインには、LM74610-Q1 があります。
TI のリファレンス デザイン セレクション ツールを使用すると、開発中のアプリケーションやパラメータとの適合度が最も高いデザインの確認と特定を進めることができます。
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
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購入と品質
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