LMG1025-Q1
- AEC-Q100 grade 1 qualified
- 1.25-ns typical minimum input pulse width
- 2.6-ns typical rising propagation delay
- 2.9-ns typical falling propagation delay
- 300-ps typical pulse distortion
- Independent 7-A pull-up and 5-A pull-down current
- 650-ps typical rise time (220-pF load)
- 850-ps typical fall time (220-pF load)
- 2-mm x 2-mm QFN package
- Inverting and non-inverting inputs
- UVLO and over-temperature protection
- Single 5-V supply voltage
The LMG1025-Q1 is a single channel low-side enhancement-mode GaN FET and logic-level MOSFET driver for high switching frequency automotive applications. Narrow pulse width capability, fast switching specification, and small pulse distortion combine to significantly enhance LiDAR, ToF, and Power Converter performance. 1.25-ns output pulse width enables more powerful, eye-safe diode pulses. This, combined with 300-ns distortion, leads to longer-range, precise LiDAR/ToF systems. 2.9-ns propagation delay significantly improves the control loop response time and thus overall performance of the power converters. Split output allows the drive strength and timing to be independently adjusted through external resistors between OUTH, OUTL, and the FET gate.
The driver features undervoltage lockout (UVLO) and over-temperature protection (OTP) to ensure the device is not damaged in overload or fault conditions. LMG1025-Q1 is available in a compact, leadless, AEC-Q100 automotive qualified package to meet the size and gate loop inductance requirements of high switching frequency automotive applications.
技術資料
設計および開発
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パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
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WSON (DEE) | 6 | Ultra Librarian |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
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