TPS7H2211-SEP
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100krad (Si) まで、累積線量 (TID) 特性を評価済み
- 放射線耐性保証 (RHA)：100krad(Si)
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シングル イベント効果 (SEE) の特性
- シングル イベント ラッチアップ (SEL)、シングル イベント バーンアウト (SEB)、シングル イベント ゲート ラプチャー (SEGR) の線エネルギー付与 (LET) に対する耐性= 75MeV-cm2/mg*
- シングル イベント機能割り込み (SEFI) およびシングル イベント過渡 (SET) の LET に対する耐性 = 75MeV-cm2/mg*
- シングル チャネル eFuse を内蔵
- 入力電圧範囲：4.5V～14V
- 低いオン抵抗 (RON)：25℃、VIN = 12V で最大値 60mΩ
- 最大連続スイッチ電流：3.5A
- 制御入力スレッショルドが低いため、 1.2V、1.8V、2.5V、3.3V ロジックを使用可能
- 立ち上がり時間を設定可能 (ソフト スタート)
- 逆電流保護 (RCP)
- 過電圧保護 (OVP)
- 内部電流制限 (ファスト トリップ)
- サーマル シャットダウン
- サーマル パッド付きのセラミックおよびプラスチック パッケージ
- 軍用温度範囲 (–55℃～125℃) を供給可能
TPS7H2211 は、シングル チャネル eFuse (追加機能付き FET ロード スイッチを内蔵) で、逆電流保護、過電圧保護を備え、突入電流を最小化するために立ち上がり時間が設定可能な、ソフト スタートになっています。このデバイスは、4.5V～14V の入力電圧範囲で動作し、最大 3.5A の連続電流をサポートする P チャネル MOSFET を内蔵しています。
このスイッチは、オン オフ入力 (EN) により制御され、低電圧の制御信号と直接接続可能です。過電圧保護およびソフト スタートは、OVP および SS ピンを使って、少数の外付け部品でプログラム可能です。TPS7H2211 は、放熱性能向上のための露出したサーマル パッド付きセラミックおよび樹脂製パッケージで供給されます。QML 5962R1822001VXCでは、SMD (Standard Microcircuit Drawing) を利用できます。-SEP バリアント V62/23609 では、VID (Vendor Item Drawing) を利用できます。
技術資料
設計と開発
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TPS7H2211EVM — 宇宙用エンハンスド製品、4.5V ～ 14V 入力、3.5A ロード スイッチと eFuse の評価基板
TPS7H2211EVM は、宇宙用エンハンスド製品であるシングル eFuse TPS7H2211 の動作を提示します。このボードは、追加の部品を実装するためのフットプリントを確保しており、並列または冗長の eFuse など、カスタマイズ構成のテストに使用できます。
TVS-RECOMMENDATION-CALC — TVS diode recommendation tool
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| HTSSOP (DAP) | 32 | Ultra Librarian |
購入と品質
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。