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UCC27288

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製品詳細

Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 16 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.016 Rise time (ns) 12 Fall time (ns) 10 Iq (mA) 0.002, 2000 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -14 Features External bootstrap diode Driver configuration Dual inputs
Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 16 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.016 Rise time (ns) 12 Fall time (ns) 10 Iq (mA) 0.002, 2000 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -14 Features External bootstrap diode Driver configuration Dual inputs
SOIC (D) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm)
  • ハイサイド / ローサイド構成の 2 つの N チャネル MOSFET を駆動
  • 16ns (標準値) の伝搬遅延
  • 立ち上がり時間 12ns、立ち下がり時間 10ns (標準値、1800pF 負荷時)
  • 1ns (標準値) の遅延マッチング
  • 外部ブートストラップ・ダイオードを構成可能
  • 8V (標準値) の低電圧誤動作防止
  • 入力の絶対最大負電圧 (-5V)
  • HS の絶対最大負電圧 (-14V)
  • ±3A のピーク出力電流
  • 絶対最大ブート電圧:120V
  • 入力は互いに独立で、VDD とも独立
  • 両方のチャネルの低電圧誤動作防止
  • 接合部温度 -40℃~ 140℃で動作を規定
  • ハイサイド / ローサイド構成の 2 つの N チャネル MOSFET を駆動
  • 16ns (標準値) の伝搬遅延
  • 立ち上がり時間 12ns、立ち下がり時間 10ns (標準値、1800pF 負荷時)
  • 1ns (標準値) の遅延マッチング
  • 外部ブートストラップ・ダイオードを構成可能
  • 8V (標準値) の低電圧誤動作防止
  • 入力の絶対最大負電圧 (-5V)
  • HS の絶対最大負電圧 (-14V)
  • ±3A のピーク出力電流
  • 絶対最大ブート電圧:120V
  • 入力は互いに独立で、VDD とも独立
  • 両方のチャネルの低電圧誤動作防止
  • 接合部温度 -40℃~ 140℃で動作を規定

UCC27288 は、100V の最大スイッチ・ノード (HS) 電圧定格を持つ堅牢な N チャネル MOSFET ドライバです。このデバイスは、ハーフブリッジまたは同期整流降圧構成に基づくトポロジで 2 つの N チャネル MOSFET を制御できます。UCC27288 のソース電流とシンク電流のピークは 3A で、プルアップおよびプルダウン抵抗も小さいため、MOSFET のミラー・プラトー遷移中のスイッチング損失を最小限に抑えて大電力 MOSFET を駆動できます。各入力が電源電圧と無関係であるため、UCC27288 はアナログ・コントローラともデジタル・コントローラとも組み合わせて使用できます。2 つの入力はお互いに完全に独立しているため、制御設計のフレキシビリティが向上します。

入力ピンと HS ピンは大きな負の電圧に耐えられるため、システムの堅牢性が強化されます。各入力はお互いに完全に独立しています。これにより、必要に応じて、入力を重複させることで、2 つの出力を重複させることができる場合に、制御のフレキシビリティが実現します。伝搬遅延が短く、遅延マッチング仕様によりデッドタイムの要件が最小化されるため、さらにシステム効率が向上します。

ハイサイドとローサイド両方のドライバ段に低電圧誤動作防止 (UVLO) 機能があり、VDD 電圧が指定のスレッショルドを下回ると、出力が強制的に LOW になります。ブートストラップ・ダイオードが内蔵されていないため、ユーザーは、アプリケーションに適切な外部ブートストラップ・ダイオードを使用できます。UCC27288 は、SOIC8 パッケージで提供されており、過酷な環境におけるシステムの堅牢性を向上させます。

UCC27288 は、100V の最大スイッチ・ノード (HS) 電圧定格を持つ堅牢な N チャネル MOSFET ドライバです。このデバイスは、ハーフブリッジまたは同期整流降圧構成に基づくトポロジで 2 つの N チャネル MOSFET を制御できます。UCC27288 のソース電流とシンク電流のピークは 3A で、プルアップおよびプルダウン抵抗も小さいため、MOSFET のミラー・プラトー遷移中のスイッチング損失を最小限に抑えて大電力 MOSFET を駆動できます。各入力が電源電圧と無関係であるため、UCC27288 はアナログ・コントローラともデジタル・コントローラとも組み合わせて使用できます。2 つの入力はお互いに完全に独立しているため、制御設計のフレキシビリティが向上します。

入力ピンと HS ピンは大きな負の電圧に耐えられるため、システムの堅牢性が強化されます。各入力はお互いに完全に独立しています。これにより、必要に応じて、入力を重複させることで、2 つの出力を重複させることができる場合に、制御のフレキシビリティが実現します。伝搬遅延が短く、遅延マッチング仕様によりデッドタイムの要件が最小化されるため、さらにシステム効率が向上します。

ハイサイドとローサイド両方のドライバ段に低電圧誤動作防止 (UVLO) 機能があり、VDD 電圧が指定のスレッショルドを下回ると、出力が強制的に LOW になります。ブートストラップ・ダイオードが内蔵されていないため、ユーザーは、アプリケーションに適切な外部ブートストラップ・ダイオードを使用できます。UCC27288 は、SOIC8 パッケージで提供されており、過酷な環境におけるシステムの堅牢性を向上させます。

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技術資料

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* データシート UCC27288 3A 120V ハーフブリッジ・ドライバ (8V UVLO および外部ブートストラップ・ダイオード付き) データシート (Rev. B 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2022/07/27
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設計と開発

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評価ボード

UCC27288EVM — UCC27288 100V、3A、8V、UVLO ハーフブリッジ ゲートドライバの評価基板

UCC27288EVM は、2.5A のピークソース電流と 3.5A のピークシンク電流の能力を実現した 100V ハーフ ブリッジ ゲート ドライバである UCC27288D を評価する目的で設計してあります。この EVM は、最大 20V のドライブ電圧に対応する各種パワー MOSFET を駆動するリファレンス デザインの役割を果たします。
ユーザー ガイド: PDF
サポート対象の製品とハードウェア
在庫あり
制限:
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入手不可
計算ツール

SLURB12 — UCC272xx-UCC273xx Schematic Review Template

サポート対象の製品とハードウェア
リファレンス・デザイン

TIDA-010966 — パック バランス用途、双方向絶縁型デュアルブリッジ直列共振 DC/DC コンバータのリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、双方向の絶縁型デュアルブリッジ直列共振 DC/DC コンバータであり、住宅用エネルギー ストレージ システムでパック バランスを確保する目的で使用します。このリファレンス デザインは、95% のピーク効率で、定電流モードと定電圧モードを実現できます。このリファレンス デザインは、40V ~ 60V の住宅用エネルギー ストレージ システム向けです。
サポート対象の製品とハードウェア
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (D) 8 Ultra Librarian

購入と品質

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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