データシート
UCC27311A
- ハーフブリッジ構成の 2 つの N チャネル MOSFET を駆動
- 接合部温度範囲：-40℃～+150℃
- HB ピンで 120V の絶対最大電圧
- 3.7A シンク、4.5A ソース出力電流
- VDD 動作範囲：8V～17V (絶対最大定格 20V)、UVLO 付き
- HS ピンの負の絶対最大過渡耐性：-(28 - VDD)V (100ns 未満のパルス)
- 入力ピンの絶対最大耐性：-10V〜+20V、電源電圧範囲にかかわらず (TTL 互換)
- スイッチング パラメータ：
- 伝搬遅延時間 (標準値)：20ns
- 立ち上がり時間 7.2ns、立ち下がり時間 5.5ns (1000pF 負荷時)
- 遅延マッチング：4ns (標準値)
- ブートストラップ ダイオードを内蔵
- イネーブル / ディセーブル機能、ディセーブル時の低消費電流 (標準値 3µA)
UCC27311A は、ハーフブリッジまたは同期整流降圧構成の 2 つの N チャネル MOSFET を駆動するよう設計された堅牢なゲート ドライバで、絶対最大ブートストラップ電圧は 120V です。UCC27311A はピーク ソース電流能力が 3.7A、ピーク シンク電流能力が 4.5A であるため、ミラー プラトー通過時のスイッチング損失を最小限に抑えて大電力 MOSFET を駆動できます。スイッチング ノード (HS ピン) の負の過渡電圧を処理できるため、寄生インダクタンスや浮遊容量によって生じる固有の負電圧からハイサイド チャネルを保護できます。
入力は電源電圧に依存せず、-10V および +20V の絶対最大定格に対応できます。ローサイドとハイサイドのゲート ドライバは、お互いにターンオン / ターンオフ間 4ns でマッチングされ、それぞれ LI および HI 入力ピンで制御されます。120V 定格のブートストラップ ダイオードが内蔵されているため、ディスクリート ブートストラップ ダイオードは必要はありません。ハイサイド ドライバとローサイド ドライバの両方に低電圧誤動作防止機能 (UVLO) が搭載され、対称的なオン/オフ動作を実現しながら、駆動電圧が規定のスレッショルド未満の場合は出力が強制的に Low になります。
技術資料
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設計と開発
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評価ボード
UCC27282EVM-335 — UCC27282 120-V、3-A、5-V、UVLO 付きハイサイド / ローサイド ゲート ドライバの評価基板
UCC27282EVM-335 は、ソース (供給) 電流とシンク (吸い込み) 電流のピーク能力が大きい 120V ハーフブリッジ ゲート ドライバである UCC27282DRC の評価に適した設計を採用しています。この EVM は、該当データシートを基準としてこのドライバ IC を評価する目的でも使用できます。また、ドライバ IC コンポーネントのセレクション ガイドという目的で、この EVM を使用することも可能です。この EVM は、PCB のレイアウトがゲート ドライバの性能に及ぼす影響を判断する目的での使用も可能です。
在庫あり
制限：
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入手不可
計算ツール
SLURB12 — UCC272xx-UCC273xx Schematic Review Template
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| VSON (DRC) | 10 | Ultra Librarian |
購入と品質
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。