UCC27710
- ハイサイドおよびローサイド構成
- 出力インターロックおよび150nsのデッドタイムを備えたデュアル入力
- 最大620Vまで完全動作、HBピンの絶対最大定格700V
- VDD推奨範囲: 10V～20V
- 0.5Aソース、1.0Aシンクのピーク出力電流
- dv/dt耐性: 50V/ns
- HSピンで-11Vまでロジック動作
- 入力における負の電圧許容範囲: -5V
- 大きな負の過渡安全動作領域
- 両方のチャネルでのUVLO保護
- 短い伝搬遅延(標準値140ns)
- 遅延マッチング(標準値8ns)
- ブートストラップ動作用に設計されたフローティング・チャネル
- 低い静止電流
- TTLおよびCMOS互換の入力
- 業界標準のSOIC-8パッケージ
- すべてのパラメータは-40℃～+125℃の温度範囲で規定
UCC27710は620Vのハイサイドおよびローサイド・ゲート・ドライバで、ソース0.5A、シンク1.0Aの電流能力を持ち、パワーMOSFETやIGBTを駆動するよう設計されています。
推奨VDD動作電圧は、IGBTでは10V～20V、パワーMOSFETでは10V～17Vです。
UCC27710には保護機能が組み込まれており、入力がオープンの状態、または最小入力パルス幅の仕様が満たされていない場合、出力はLOWに保持されます。インターロックおよびデッドタイム機能により、両方の出力が同時にオンになることが防止されます。さらに、このデバイスは10V～20Vの広い範囲のバイアス電源電圧を受け付け、VDDおよびHBの両方のバイアス電源についてUVLO保護を行います。
このデバイスは、TIの最先端の高耐圧デバイス・テクノロジで開発され、堅牢な駆動能力、非常に優れたノイズおよび過渡耐性が特長です。これには、入力における大きな負の電圧の許容、高いdV/dt許容、スイッチ・ノード(HS)における広い負の過渡安全動作領域(NTSOA)、インターロックが含まれます。
このデバイスは、1つのグランド基準チャネル(LO)と1つのフローティング・チャネル(HO)で構成され、ブートストラップまたは絶縁電源で動作するよう設計されています。このデバイスは、伝搬遅延が短く、両方のチャネル間で遅延マッチングが非常に優れています。UCC27710で、各チャネルはそれぞれHIおよびLI入力ピンにより制御されます。
技術資料
設計と開発
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UCC27710EVM-005 — UCC27710 620V、0.5A、1.0A ハイサイド / ローサイド ゲート ドライバの評価基板
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
購入と品質
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。