データシート
UCG28836
- 内蔵型 750V GaN HEMT
- 動的 QR/DCM/CCM 動作モード
- 高電力密度：最大 500kHz のスイッチング周波数
- 統合により BOM コストを低減
- 自己バイアスにより補助巻線不要
- 入出力電圧センシング機能を内蔵
- 統合型の電流センス機能
- HV スタートアップ内蔵
- X コンデンサ放電機能を内蔵
- 高い効率と低い EMI 特性
- 非常に小さいスタンバイ消費電力：<30mW
- 周波数フォールドバックおよびバースト モード
- バレー ロック
- 周波数ディザリング
- 切り替え可能なスルーレート制御
- 包括的な保護機能
- 過熱保護
- 入力および出力過電圧保護
- 短絡保護
- サイクル単位の電流制限
- LPS による 2 レベルの過電力保護
- ブラウンインおよびブラウンアウト保護
- オープン フィードバック保護
- 外部抵抗によるフレキシブルな構成が可能
- X コンデンサ放電および CCM モード無効化
- スルーレート切り替えを選択可能
- 複数のクランプ周波数設定
- フォルト ラッチまたは自動リスタート
- 最大および最小ピーク電流比
UCG2883x/4x は、AC - DC 電力変換用に、750V GaN 高電子移動度トランジスタ (HEMT) を内蔵し、Rds (on) が低い、高周波、準共振型フライバック コンバータです。UCG2883x/4x は、携帯電話の高速充電器やノート パソコンのアダプタなどの高電力密度用途向けに設計されています。このデバイスの主な特長は、自己バイアスおよび補助巻線レス センシング方式であり、補助巻線が不要で、より高い効率のシステム設計を簡素化できます。
UCG2883x/4x は、また、インテリジェントなモード遷移 (CCM/QR/DCM) を備えており、広い電力範囲にわたって高効率を実現し、スタンバイ消費電力は 30mW 未満になっています。UCG2883x/4x はさらに、電圧上昇および電圧低下保護、SCP、OVP、OPP、LPS、OFB、OTP などの保護機能一式も備えています。サイクルごとの電流制限により、フォルト状態に迅速に応答することで、システムが保護され、信頼性が向上します。小型の 5mm × 5mm パッケージに収まる UCG2883x/4x には専用構成ピンがあり、より柔軟性が向上しています。各システムで特定のパラメータを調整するために必要なのは抵抗だけなので、単一のデバイスでプラットフォームの設計を実現できます。
技術資料
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1 をすべて表示 | 上位の文書 | タイプ | タイトル | フォーマットオプション | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | GaN 内蔵、自己バイアス型高周波数 QR フライバック コンバータ UCG2883x/4x データシート (Rev. B 翻訳版) | PDF | HTML | 2026年 4月 14日 |
設計と開発
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| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| VQFN (REZ) | 12 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
- ファブ拠点
- アセンブリ拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。