홈 전력 관리 MOSFET
홈
전력 관리
MOSFET

CSD25211W1015

활성

-20V, P-채널 NexFET™ 전원 MOSFET, 싱글 WLP 1mm x 1.5mm, 33mΩ, 게이트 ESD 보호

지금 주문하기
데이터 시트

CSD25211W1015

활성
데이터 시트 지금 주문하기

제품 상세 정보

VDS (V) -20 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 33 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 44 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 3.4 QGD (typ) (nC) 0.2 QGS (typ) (nC) 1.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.2 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 33 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 44 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 3.4 QGD (typ) (nC) 0.2 QGS (typ) (nC) 1.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.2 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZC) 6 2.1875 mm² 1.75 x 1.25
  • Ultra-low on resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Small footprint 1.0 mm × 1.5 mm
  • Low profile 0.62 mm height
  • Pb Free
  • Gate-source voltage clamp
  • Gate ESD protection – 3 kV
  • RoHS compliant
  • Halogen free
  • Ultra-low on resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Small footprint 1.0 mm × 1.5 mm
  • Low profile 0.62 mm height
  • Pb Free
  • Gate-source voltage clamp
  • Gate ESD protection – 3 kV
  • RoHS compliant
  • Halogen free

The device is designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile.

The device is designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile.
filter 기타 MOSFET 찾기
다운로드 스크립트와 함께 비디오 보기 비디오

관심 가지실만한 유사 제품

open-in-new 대안 비교
비교 대상 장치와 동일한 기능을 지원하는 핀 대 핀
CSD25304W1015 활성 -20V, P 채널 NexFET™ 전원 MOSFET 싱글 WLP 1mm x 1.5mm, 32.5mOhm Similar resistances and charge

기술 자료

star =TI에서 선정한 이 제품의 인기 문서
검색된 결과가 없습니다. 검색어를 지우고 다시 시도하세요.
11개 모두 보기
상위 문서 유형 직함 형식 옵션 날짜
* Data sheet CSD25211W1015, P-Channel NexFET Power MOSFET datasheet (Rev. B) PDF | HTML 2022/09/16
Application brief Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs PDF | HTML 2025/10/31
Application note MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 2025/10/27
Application note Avoid Common Mistakes When Selecting And Designing With Power MOSFETs PDF | HTML 2024/11/06
Application note Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 2024/03/25
Application note Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 2023/12/18
Application note Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 2023/12/14
Application note Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 2023/03/13
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022/05/31
More literature WCSP Handling Guide 2019/11/07
Application note AN-1112 DSBGA Wafer Level Chip Scale Package (Rev. AI) 2019/06/14

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

지원 소프트웨어

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어
다운로드
시뮬레이션 모델

CSD25211W1015 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM338A.ZIP (4 KB) - PSpice Model
다운로드
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
DSBGA (YZC) 6 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

콘텐츠는 TI 및 커뮤니티 기고자에 의해 "있는 그대로" 제공되며 TI의 사양으로 간주되지 않습니다. 사용 약관을 참조하십시오.

품질, 패키징, TI에서 주문하는 데 대한 질문이 있다면 TI 지원을 방문하세요. ​​​​​​​​​​​​​​

동영상