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ESD321

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USB 2.0용 6.8V 16A TLP 클램핑을 갖춘 0.9pF 3.6V ±30kV ESD 보호 다이오드

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제품 상세 정보

Package name DFN-1006 (X1SON), SOD523 (SOT-5X3) Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 40 Vrwm (V) 3.6 Bi-/uni-directional Uni-Directional Number of channels 1 IO capacitance (typ) (pF) 0.9 Clamping voltage (V) 6.8 Breakdown voltage (min) (V) 4.5
Package name DFN-1006 (X1SON), SOD523 (SOT-5X3) Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 40 Vrwm (V) 3.6 Bi-/uni-directional Uni-Directional Number of channels 1 IO capacitance (typ) (pF) 0.9 Clamping voltage (V) 6.8 Breakdown voltage (min) (V) 4.5
SOT-5X3 (DYA) 2 1.28 mm² 1.6 x 0.8 X1SON (DPY) 2 0.6 mm² 1 x 0.6
  • IEC 61000-4-2 Level 4 ESD protection:
    • ±30-kV contact discharge
    • ±30-kV air gap discharge
  • IEC 61000-4-4 EFT protection:
    • 80 A (5/50 ns)
  • IEC 61000-4-5 surge protection:
    • 6 A (8/20 µs)
  • IO capacitance: 0.9 pF (typical)
  • DC breakdown voltage: 4.5 V (minimum)
  • Low leakage current: 0.1 nA (typical)
  • Extremely Low ESD clamping voltage:
    • 6.8 V at 16 A TLP (I/O to GND)
    • RDYN: 0.13 Ω (I/O to GND)
  • Industrial temperature range: –40°C to +125°C
  • Industry standard 0402 (DFN1006P2) and SOD-523 packages
  • IEC 61000-4-2 Level 4 ESD protection:
    • ±30-kV contact discharge
    • ±30-kV air gap discharge
  • IEC 61000-4-4 EFT protection:
    • 80 A (5/50 ns)
  • IEC 61000-4-5 surge protection:
    • 6 A (8/20 µs)
  • IO capacitance: 0.9 pF (typical)
  • DC breakdown voltage: 4.5 V (minimum)
  • Low leakage current: 0.1 nA (typical)
  • Extremely Low ESD clamping voltage:
    • 6.8 V at 16 A TLP (I/O to GND)
    • RDYN: 0.13 Ω (I/O to GND)
  • Industrial temperature range: –40°C to +125°C
  • Industry standard 0402 (DFN1006P2) and SOD-523 packages

The ESD321 is a uni-directional TVS ESD protection diode featuring low dynamic resistance and low clamping voltage. The ESD321 is rated to dissipate ESD strikes up to ±30 kV per the IEC 61000-4-2 international standard (greater than Level 4).

The ultra-low dynamic resistance (0.13 Ω) and extremely low clamping voltage (6.8 V at 16 A TLP) ensure system level protection against transient events. This device has a low capacitance of 0.9 pF IO capacitance making it suitable for protecting interfaces such as USB 2.0 and Ethernet 10/100/1000 Mbps.

The ESD321 is offered in the industry standard 0402 (DPY/DFN1006P2) and SOD-523 (DYA) packages.

The ESD321 is a uni-directional TVS ESD protection diode featuring low dynamic resistance and low clamping voltage. The ESD321 is rated to dissipate ESD strikes up to ±30 kV per the IEC 61000-4-2 international standard (greater than Level 4).

The ultra-low dynamic resistance (0.13 Ω) and extremely low clamping voltage (6.8 V at 16 A TLP) ensure system level protection against transient events. This device has a low capacitance of 0.9 pF IO capacitance making it suitable for protecting interfaces such as USB 2.0 and Ethernet 10/100/1000 Mbps.

The ESD321 is offered in the industry standard 0402 (DPY/DFN1006P2) and SOD-523 (DYA) packages.
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평가 보드

ESDEVM — 일반 ESD 평가 모듈

<p>The electrostatic-sensitive device (ESD) evaluation module (EVM) is a development platform for most of our ESD portfolio. The board comes with all traditional ESD footprints in order to test any number of devices. Devices can be soldered onto their respect footprint and then tested.</p>
(...)

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PSPICE-FOR-TI — TI 설계 및 시뮬레이션 툴용 PSpice®

TI용 PSpice®는 아날로그 회로의 기능을 평가하는 데 사용되는 설계 및 시뮬레이션 환경입니다. 완전한 기능을 갖춘 이 설계 및 시뮬레이션 제품군은 Cadence®의 아날로그 분석 엔진을 사용합니다. 무료로 제공되는 TI용 PSpice에는 아날로그 및 전력 포트폴리오뿐 아니라 아날로그 행동 모델에 이르기까지 업계에서 가장 방대한 모델 라이브러리 중 하나가 포함되어 있습니다.

TI 설계 및 시뮬레이션 환경용 PSpice는 기본 제공 라이브러리를 이용해 복잡한 혼합 신호 설계를 시뮬레이션할 수 있습니다. 레이아웃 및 제작에 (...)
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시뮬레이션 툴

TINA-TI — SPICE 기반 아날로그 시뮬레이션 프로그램

TINA-TI provides all the conventional DC, transient and frequency domain analysis of SPICE and much more. TINA has extensive post-processing capability that allows you to format results the way you want them. Virtual instruments allow you to select input waveforms and probe circuit nodes voltages (...)
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  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
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