제품 상세 정보

Number of channels 3 Rating Catalog Forward/reverse channels 2 forward / 1 reverse Integrated isolated power No Isolation rating Reinforced Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Protocols GPIO, General purpose, PWM, UART Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 CMTI (min) (V/µs) 85000 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (µs) 0.0107 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1.03 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.67 Creepage (min) (mm) 8, 14.5 Clearance (min) (mm) 8, 14.5
Number of channels 3 Rating Catalog Forward/reverse channels 2 forward / 1 reverse Integrated isolated power No Isolation rating Reinforced Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Protocols GPIO, General purpose, PWM, UART Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 CMTI (min) (V/µs) 85000 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (µs) 0.0107 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1.03 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.67 Creepage (min) (mm) 8, 14.5 Clearance (min) (mm) 8, 14.5
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3 SOIC (DWW) 16 177.675 mm² 10.3 x 17.25
  • Signaling Rate: Up to 100Mbps
  • Wide Supply Range: 2.25V to 5.5V
  • 2.25V to 5.5V Level Translation
  • Wide Temperature Range: –55°C to 125°C
  • Low Power Consumption, Typical 1.7mA per Channel at 1Mbps
  • Low Propagation Delay: 11ns Typical (5V Supplies)
  • Industry leading CMTI (min): ±100kV/µs
  • Robust Electromagnetic Compatibility (EMC)
  • System-Level ESD, EFT, and Surge Immunity
  • Low Emissions
  • Isolation Barrier Life: > 40 Years
  • SOIC-16 Wide Body (DW) and Extra-Wide Body (DWW) Package Options
  • Safety-Related Certifications:
    • 8000VPK Reinforced Isolation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • 5.7kVRMS Isolation for 1 Minute per UL 1577
    • IEC 61010-1, IEC 62368-1, IEC 60601-1, and GB 4943.1 certifications

  • Signaling Rate: Up to 100Mbps
  • Wide Supply Range: 2.25V to 5.5V
  • 2.25V to 5.5V Level Translation
  • Wide Temperature Range: –55°C to 125°C
  • Low Power Consumption, Typical 1.7mA per Channel at 1Mbps
  • Low Propagation Delay: 11ns Typical (5V Supplies)
  • Industry leading CMTI (min): ±100kV/µs
  • Robust Electromagnetic Compatibility (EMC)
  • System-Level ESD, EFT, and Surge Immunity
  • Low Emissions
  • Isolation Barrier Life: > 40 Years
  • SOIC-16 Wide Body (DW) and Extra-Wide Body (DWW) Package Options
  • Safety-Related Certifications:
    • 8000VPK Reinforced Isolation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • 5.7kVRMS Isolation for 1 Minute per UL 1577
    • IEC 61010-1, IEC 62368-1, IEC 60601-1, and GB 4943.1 certifications

The ISO7831x device is a high-performance, 3-channel digital isolator with 8000VPK isolation voltage. This device has reinforced isolation certifications according to VDE, CSA, TUV and CQC. The isolator provides high electromagnetic immunity and low emissions at low power consumption, while isolating CMOS or LVCMOS digital I/Os.

Each isolation channel has a logic input and output buffer separated by silicon dioxide (SiO2) insulation barrier. This device comes with enable pins which can be used to put the respective outputs in high impedance for multi-master driving applications and to reduce power consumption. The ISO7831x device has two forward and one reverse-direction channels. If the input power or signal is lost, the default output is high for the ISO7831 device and low for the ISO7831F device. See for further details.

Used in conjunction with isolated power supplies, this device helps prevent noise currents on a data bus or other circuits from entering the local ground and interfering with or damaging sensitive circuitry. Through remarkable chip design and layout techniques, electromagnetic compatibility of ISO7831x has been significantly enhanced to ease system-level ESD, EFT, surge, and emissions compliance. ISO7831x is available in a 16-pin SOIC wide-body (DW) and extra-wide body (DWW) packages.

The ISO7831x device is a high-performance, 3-channel digital isolator with 8000VPK isolation voltage. This device has reinforced isolation certifications according to VDE, CSA, TUV and CQC. The isolator provides high electromagnetic immunity and low emissions at low power consumption, while isolating CMOS or LVCMOS digital I/Os.

Each isolation channel has a logic input and output buffer separated by silicon dioxide (SiO2) insulation barrier. This device comes with enable pins which can be used to put the respective outputs in high impedance for multi-master driving applications and to reduce power consumption. The ISO7831x device has two forward and one reverse-direction channels. If the input power or signal is lost, the default output is high for the ISO7831 device and low for the ISO7831F device. See for further details.

Used in conjunction with isolated power supplies, this device helps prevent noise currents on a data bus or other circuits from entering the local ground and interfering with or damaging sensitive circuitry. Through remarkable chip design and layout techniques, electromagnetic compatibility of ISO7831x has been significantly enhanced to ease system-level ESD, EFT, surge, and emissions compliance. ISO7831x is available in a 16-pin SOIC wide-body (DW) and extra-wide body (DWW) packages.

다운로드 스크립트와 함께 비디오 보기 동영상

기술 자료

star =TI에서 선정한 이 제품의 인기 문서
검색된 결과가 없습니다. 검색어를 지우고 다시 시도하십시오.
22개 모두 보기
유형 직함 날짜
* Data sheet ISO7831x High-Performance, 8000VPK Reinforced Triple Digital Isolators datasheet (Rev. C) PDF | HTML 2025/07/29
White paper Improve Your System Performance by Replacing Optocouplers with Digital Isolators (Rev. D) PDF | HTML 2025/11/07
Certificate VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. Y) 2025/09/22
Certificate UL Certificate of Compliance File E181974 Vol 4 Sec 6 (Rev. R) 2025/09/08
Certificate CQC Certificate for ISOxxDWx (Rev. K) 2025/08/18
Certificate TUV Certificate for Isolation Devices (Rev. L) 2025/08/15
Application note Digital Isolator Design Guide (Rev. G) PDF | HTML 2023/09/13
White paper Circuit Board Insulation Design According to IEC60664 for Motor Drive Apps PDF | HTML 2023/08/31
Certificate CSA Certificate for ISO78xxDWx 2023/03/13
White paper Why are Digital Isolators Certified to Meet Electrical Equipment Standards? 2021/11/16
White paper Distance Through Insulation: How Digital Isolators Meet Certification Requiremen PDF | HTML 2021/06/11
Functional safety information Isolation in AC Motor Drives: Understanding the IEC 61800-5-1 Safety Standard (Rev. A) 2019/09/19
White paper Direct-drive configuration for GaN devices (Rev. A) 2018/11/19
Analog Design Journal Pushing the envelope with high-performance digital-isolation technology (Rev. A) 2018/08/22
Application brief Considerations for Selecting Digital Isolators 2018/07/24
Functional safety information Isolation in solar power converters: Understanding the IEC62109-1 safety standar (Rev. A) 2018/05/18
Analog Design Journal How to reduce radiated emissions of digital isolators for systems with RF module 2018/03/26
Application note Isolation Glossary (Rev. A) 2017/09/19
Technical article Is integrated GaN changing the conventional wisdom? PDF | HTML 2016/10/07
Analog Design Journal 4Q 2015 Analog Applications Journal 2015/10/30
White paper Understanding electromagnetic compliance tests in digital isolators 2014/10/17
White paper High-voltage reinforced isolation: Definitions and test methodologies 2014/10/16

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

DIGI-ISO-EVM — 범용 디지털 아이솔레이터 평가 모듈

DIGI-ISO-EVM은 5가지 패키지(8핀 네로우 바디 SOIC(D), 8핀 와이드 바디 SOIC(DWV), 16핀 와이드 바디 SOIC(DW), 16핀 울트라 와이드 바디 SOIC(DWW), 16핀 QSOP(DBQ) 패키지)에서 TI 싱글 채널, 듀얼 채널, 트리플 채널, 쿼드 채널 또는 6채널 디지털 절연기 장치를 평가하는 데 사용되는 평가 모듈(EVM)입니다. EVM에는 최소한의 외부 구성품으로 장치를 평가할 수 있는 충분한 Berg 핀 옵션이 있습니다.

사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매 불가
평가 보드

ISO7842-EVM — 높은 내성, 5.7kVRMS의 강화 쿼드-채널 2/2 디지털 아이솔레이터, 평가 모듈

The ISO7842 provides galvanic isolation up to 5700 VRMS for 1 minute per UL and 8000 VPK per VDE. This device has four isolated channels comprised of a logic input and output buffer separated by a silicon dioxide (SiO2) insulation barrier. Used in conjunction with isolated power supplies, this (...)

사용 설명서: PDF
TI.com에서 구매 불가
도터 카드

LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600V 70-mΩ GaN 하프 브리지 부속 카드

LMG34XX-BB-EVM은 동기식 벅 컨버터로 LMG3410-HB-EVM과 같은 LMG34XX 하프 브리지 보드를 구성하기 위해 사용하기 쉬운 브레이크아웃 보드입니다.  이 EVM은 전력계, 바이어스 전력 및 로직 회로를 제공하여 GaN 디바이스 스위칭의 신속한 측정을 지원합니다.  이 EVM은 적절한 열 관리(강제 공기, 저주파 작동 등)로 최대 8A의 출력 전류를 제공하여 최대 작동 온도를 초과하지 않도록 할 수 있습니다.  이 EVM은 개방형 루프 보드이기 때문에 과도 측정에는 적합하지 않습니다.
단일 펄스 폭 변조 입력만 (...)
사용 설명서: PDF
TI.com에서 구매 불가
시뮬레이션 모델

ISO7831 IBIS Model (Rev. B)

SLLM286B.ZIP (104 KB) - IBIS Model
시뮬레이션 모델

ISO7831F IBIS Model

SLLM288.IBS (243 KB) - IBIS Model
레퍼런스 디자인

PMP20873 — 99% 효율 1kW GaN 기반 CCM 토템 폴 PFC(역률 보정) 컨버터 레퍼런스 설계

CCM(연속 전도 모드) 토템 폴 PFC(역률 보정)는 단순하지만 효율적인 전력 컨버터입니다.  효율 99%를 실현하려면 수많은 설계 세부 사항을 감안해야 합니다.  PMP20873 레퍼런스 설계는 TI의 600VGaN 전력 단계 LMG3410과 TI의 UCD3138 디지털 컨트롤러를 사용합니다.  이 설계 개요에서는 CCM 토템 폴 토폴로지 작동에 관한 자세한 정보를 기재하여 회로의 상세한 설계 고려 사항을 제공하고, 자기 부품 및 펌웨어 제어 설계 고려 사항을 알려드립니다. 이 컨버터 설계는 100KHz에서 작동합니다. AC (...)
Test report: PDF
회로도: PDF
레퍼런스 디자인

TIDM-1007 — 고효율 GaN CCM 토템 폴 브리지리스 PFC(역률 보정) 레퍼런스 디자인

인터리브드 CCM(Continuous Conduction Mode) TTPL(Totem Pole) 브리지리스 PFC(Power Factor Correction)는 전원 공급 장치의 효율이 높고 크기가 작아 높은 밴드 갭 GaN 장치를 사용하는 강력한 전력 토폴로지입니다. 이 설계는 C2000™ MCU 및 LMG3410 GaN FET 모듈을 사용하여 이 전력계를 제어하는 방법을 보여줍니다. 효율을 개선하기 위해 적응형 데드 타임 및 위상 쉐딩 방법이 구현되었습니다.  비선형 전압 보상기는 과도 상태에서 오버슈트 및 언더슈트를 (...)
Design guide: PDF
회로도: PDF
레퍼런스 디자인

TIDM-02008 — C2000™ MCU를 사용하는 양방향 고밀도 GaN CCM 토템 폴 PFC

이 레퍼런스 설계는 C2000™ 실시간 컨트롤러와 통합 드라이버 및 보호 기능이 있는 LMG3410R070 GaN(질화 갈륨)을 사용하는 3kW 양방향 인터리브 CCM(연속 전도 모드) 토템 폴(TTPL) 브리지리스 PFC(역률 보정) 전력계입니다.  이 전력 토폴로지는 양방향 전력 흐름(PFC 및 그리드 장착 인버터)을 사용할 수 있으며, LMG341x GaN 장치를 사용하여 전원 공급 장치의 크기를 줄이고 효율을 높일 수 있습니다. 이 설계는 효율성 개선을 위한 위상 쉐딩 및 적응형 데드 타임, 저부하 상태에서 역률을 개선하는 (...)
Design guide: PDF
회로도: PDF
패키지 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian
SOIC (DWW) 16 Ultra Librarian

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

콘텐츠는 TI 및 커뮤니티 기고자에 의해 "있는 그대로" 제공되며 TI의 사양으로 간주되지 않습니다. 사용 약관을 참조하십시오.

품질, 패키징, TI에서 주문하는 데 대한 질문이 있다면 TI 지원을 방문하세요. ​​​​​​​​​​​​​​

동영상