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LM5102

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8V UVLO 및 프로그래머블 지연을 지원하는 2A, 100V 하프 브리지 게이트 드라이버

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제품 상세 정보

Bootstrap supply voltage (max) (V) 100 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 9 Input supply voltage (max) (V) 14 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 10 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual, Independent
Bootstrap supply voltage (max) (V) 100 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 9 Input supply voltage (max) (V) 14 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 10 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual, Independent
WSON (DPR) 10 16 mm² (4 mm × 4 mm) VSSOP (DGS) 10 14.7 mm² (3 mm × 4.9 mm)
  • Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel MOSFET
  • Independently Programmable High and Low Side Rising Edge Delay
  • Bootstrap Supply Voltage Range up to 118 V dc
  • Fast Turn-Off Propagation Delay (25 ns Typical)
  • Drives 1000-pF Loads with 15-ns Rise and Fall Times
  • Supply Rail Undervoltage Lockout
  • Low Power Consumption
  • Timer Can Be Terminated Midway Through Sequence
  • Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel MOSFET
  • Independently Programmable High and Low Side Rising Edge Delay
  • Bootstrap Supply Voltage Range up to 118 V dc
  • Fast Turn-Off Propagation Delay (25 ns Typical)
  • Drives 1000-pF Loads with 15-ns Rise and Fall Times
  • Supply Rail Undervoltage Lockout
  • Low Power Consumption
  • Timer Can Be Terminated Midway Through Sequence

The LM5102 high-voltage gate driver is designed to drive both the high side and the low side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half bridge configuration. The floating high-side driver is capable of working with supply voltages up to 100 V. The outputs are independently controlled. The rising edge of each output can be independently delayed with a programming resistor. An integrated high voltage diode is provided to charge the high side gate drive bootstrap capacitor. A robust level shifter operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from control logic to the high side gate driver. Undervoltage lockout is provided on both the low side and the high side power rails. This device is available in the standard VSSOP 10 pin and the WSON 10 pin packages.

For all available packages, see the orderable addendum at the end of the data sheet.

The LM5102 high-voltage gate driver is designed to drive both the high side and the low side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half bridge configuration. The floating high-side driver is capable of working with supply voltages up to 100 V. The outputs are independently controlled. The rising edge of each output can be independently delayed with a programming resistor. An integrated high voltage diode is provided to charge the high side gate drive bootstrap capacitor. A robust level shifter operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from control logic to the high side gate driver. Undervoltage lockout is provided on both the low side and the high side power rails. This device is available in the standard VSSOP 10 pin and the WSON 10 pin packages.

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기술 자료

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애플리케이션 노트 UCC27282 Improving motor drive system robustness 2019. 1. 11
추가 자료 Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) 2018. 10. 29

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

계산 툴

SNVR521 — LM51xx Schematic Review Template

지원되는 제품 및 하드웨어
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
WSON (DPR) 10 Ultra Librarian
VSSOP (DGS) 10 Ultra Librarian
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주문 및 품질

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지원 및 교육

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포럼 주제 모두 보기(영문)

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