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TS5A3160

활성

5V, 2:1(SPDT), 1채널, 아날로그 스위치, 1Ω Ron

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TS5A3160

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제품 상세 정보

Configuration 2:1 SPDT Number of channels 1 Power supply voltage - single (V) 1.8, 2.5, 3.3, 5 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 0.7 CON (typ) (pF) 55 ON-state leakage current (max) (µA) 0.1 Supply current (typ) (µA) 0.001 Bandwidth (MHz) 105 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Features Make-before-break, Powered-off protection Input/output continuous current (max) (A) 0.2 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 5.5
Configuration 2:1 SPDT Number of channels 1 Power supply voltage - single (V) 1.8, 2.5, 3.3, 5 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 0.7 CON (typ) (pF) 55 ON-state leakage current (max) (µA) 0.1 Supply current (typ) (µA) 0.001 Bandwidth (MHz) 105 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Features Make-before-break, Powered-off protection Input/output continuous current (max) (A) 0.2 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 5.5
SOT-23 (DBV) 6 8.12 mm² (2.9 mm × 2.8 mm) SOT-SC70 (DCK) 6 4.2 mm² (2 mm × 2.1 mm)
  • Low ON-State Resistance (1 Ω)
  • Isolation in the Powered-Off Mode, V+ = 0
  • Specified Make-Before-Break Switching
  • Control Inputs are 5-V Tolerant
  • Low Charge Injection
  • Excellent ON-Resistance Matching
  • Low Total Harmonic Distortion
  • 1.65-V to 5.5-V Single-Supply Operation
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA
    Per JESD 78, Class II
  • ESD Performance Tested Per JESD 22
    • 2000-V Human Body Model
      (A114-B, Class II)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101)
  • Low ON-State Resistance (1 Ω)
  • Isolation in the Powered-Off Mode, V+ = 0
  • Specified Make-Before-Break Switching
  • Control Inputs are 5-V Tolerant
  • Low Charge Injection
  • Excellent ON-Resistance Matching
  • Low Total Harmonic Distortion
  • 1.65-V to 5.5-V Single-Supply Operation
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA
    Per JESD 78, Class II
  • ESD Performance Tested Per JESD 22
    • 2000-V Human Body Model
      (A114-B, Class II)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101)

The TS5A3160 device is a single-pole double-throw (SPDT) analog switch that is designed to operate from 1.65 V to 5.5 V. The device offers a low ON-state resistance and an excellent channel-to-channel ON-state resistance matching. The device has excellent total harmonic distortion (THD) performance and consumes very low power. These features make this device suitable for portable audio applications.

The TS5A3160 device is a single-pole double-throw (SPDT) analog switch that is designed to operate from 1.65 V to 5.5 V. The device offers a low ON-state resistance and an excellent channel-to-channel ON-state resistance matching. The device has excellent total harmonic distortion (THD) performance and consumes very low power. These features make this device suitable for portable audio applications.
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* 데이터 시트 TS5A3160 1-Ω SPDT Analog Switch datasheet (Rev. E) PDF | HTML 2017. 11. 1
애플리케이션 노트 Selecting the Correct Texas Instruments Signal Switch (Rev. E) PDF | HTML 2022. 6. 2
애플리케이션 노트 Multiplexers and Signal Switches Glossary (Rev. B) PDF | HTML 2021. 12. 1
Application brief Eliminate Power Sequencing with Powered-off Protection Signal Switches (Rev. C) PDF | HTML 2021. 1. 6

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

DIP-ADAPTER-EVM — DIP 어댑터 평가 모듈

소형 표면 실장 IC(집적 회로)와 쉽고 빠르며 경제적인 방식으로 인터페이싱하는 방법을 제공하는 DIP 어댑터 평가 모듈(DIP-ADAPTER-EVM)로 연산 증폭기 프로토타이핑 및 테스트 속도를 높이세요. 제품에 포함된 Samtec 터미널 스트립을 사용하여 지원되는 연산 증폭기를 연결하거나 기존 회로에 직접 연결할 수 있습니다.

DIP 어댑터 EVM 키트는 다음을 포함해 가장 널리 사용되는 6개의 업계 표준 패키지를 지원합니다.

  • D 및 U(SOIC-8)
  • PW(TSSOP-8)
  • DGK(MSOP-8, VSSOP-8)
  • (...)
지원되는 제품 및 하드웨어
재고 있음
제한:
??asset.out-of-stock-ti_ko_KR??
이용할 수 없음
레퍼런스 디자인

TIDA-00374 — 10년 이상의 코인 셀 배터리 수명을 가진 스타 네트워크용 습도 및 온도 센서 노드 레퍼런스 디자인

이 레퍼런스 설계는 Ti의 나노 전력 시스템 타이머, SimpleLink™ 초저전력 무선 MCU 플랫폼 및 습도 감지 기술을 사용하여 센서 엔드 노드의 듀티 사이클링을 위한 초저전력 방법을 보여줍니다. 이러한 기술은 표준 CR2032 리튬 이온 코인 셀 배터리로 10년 이상의 매우 긴 배터리 수명을 제공합니다. 이 설계에는 시스템 설계 기술, 자세한 테스트 결과, 그리고 설계를 빠르게 시작하고 실행하기 위한 정보가 포함되어 있습니다.

 

지원되는 제품 및 하드웨어
레퍼런스 디자인

TIDA-00649 — 4mA~20mA 루프 에너지 하베스터 레퍼런스 디자인

TIDA-00649 레퍼런스 설계는 4mA~20mA 루프 전원 시스템에서 에너지 하베스팅을 구현함을 보여줍니다. 이 설계는 루프에서 에너지를 수거하고 조정된 출력 전압을 생성하는 기존 설치에 간단하게 삽입할 수 있습니다. 또한 회로는 실제 루프 전류 값을 나타내는 아날로그 출력을 제공합니다. 삽입 손실은 400mV까지 낮아질 수 있으며, 최대 2.85V까지 높여 더 높은 출력 전력 수준을 지원할 수도 있습니다. 이러한 모든 기능은 무선 어댑터(WirelessHART®, Bluetooth® 저에너지(BLE) 등), 표시등, (...)
지원되는 제품 및 하드웨어
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SOT-23 (DBV) 6 Ultra Librarian
SOT-SC70 (DCK) 6 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

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