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UCC21231

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4A 소스 및 6A 싱크의 고속 듀얼 채널 절연 게이트 드라이버

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UCC21231

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제품 상세 정보

Number of channels 2 Isolation rating Functional Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 2000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 2500 Power switch GaNFET, MOSFET Features Enable, High CMTI, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 25 Output VCC/VDD (min) (V) 6.5 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 TI functional safety category Functional Safety-Capable Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Fall time (ns) 8 Undervoltage lockout (typ) (V) 5
Number of channels 2 Isolation rating Functional Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 2000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 2500 Power switch GaNFET, MOSFET Features Enable, High CMTI, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 25 Output VCC/VDD (min) (V) 6.5 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 TI functional safety category Functional Safety-Capable Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Fall time (ns) 8 Undervoltage lockout (typ) (V) 5
WSON (DLG) 13 16 mm² 4 x 4
  • Universal: dual low-side, dual high-side or half-bridge driver
  • Up to 4A peak source and 6A peak sink output
  • 1.6KVRMS basic isolation rating.
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 5ns maximum pulse-width distortion
    • 10µs maximum VDD power-up delay
  • Up to 25V VDD output drive supply with 5V VDD UVLO protection
  • UVLO protection for all power supplies
  • Fast enable for power sequencing

  • 4×4mm SON package with >1.2mm spacing:

    • Thermal PAD under each channel
    • 14.1°C/W RƟJB

  • Junction temperature range –40 to +150°C
  • Universal: dual low-side, dual high-side or half-bridge driver
  • Up to 4A peak source and 6A peak sink output
  • 1.6KVRMS basic isolation rating.
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 5ns maximum pulse-width distortion
    • 10µs maximum VDD power-up delay
  • Up to 25V VDD output drive supply with 5V VDD UVLO protection
  • UVLO protection for all power supplies
  • Fast enable for power sequencing

  • 4×4mm SON package with >1.2mm spacing:

    • Thermal PAD under each channel
    • 14.1°C/W RƟJB

  • Junction temperature range –40 to +150°C

The UCC21231 is an isolated dual-channel gate driver family with programmable dead time and wide temperature range. This device exhibits consistent performance and robustness under extreme temperature conditions. UCC21231 is designed with 4A peak-source and 6A peak-sink current to drive power MOSFET, and GaN transistors.

The UCC21231 can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver. The input side is isolated from the two output drivers by a 1.6kVRMS isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI).

Protection features include: resistor programmable dead time, enable feature to shut down both outputs simultaneously, integrated de-glitch filter that rejects input transients shorter than 5ns, and negative voltage handling for up to –2V spikes for 200ns on input and output pins. All supplies have UVLO protection.

The UCC21231 device accepts VDD supply voltages up to 25V. An input VCCI range from 3V to 5.5V makes the driver suitable for interfacing with digital controllers. All supply voltage pins have undervoltage lock-out (UVLO) protection.

With all these advanced features, the UCC21231 device enables high efficiency, high power density, and robustness in a wide variety of power applications.

The UCC21231 is an isolated dual-channel gate driver family with programmable dead time and wide temperature range. This device exhibits consistent performance and robustness under extreme temperature conditions. UCC21231 is designed with 4A peak-source and 6A peak-sink current to drive power MOSFET, and GaN transistors.

The UCC21231 can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver. The input side is isolated from the two output drivers by a 1.6kVRMS isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI).

Protection features include: resistor programmable dead time, enable feature to shut down both outputs simultaneously, integrated de-glitch filter that rejects input transients shorter than 5ns, and negative voltage handling for up to –2V spikes for 200ns on input and output pins. All supplies have UVLO protection.

The UCC21231 device accepts VDD supply voltages up to 25V. An input VCCI range from 3V to 5.5V makes the driver suitable for interfacing with digital controllers. All supply voltage pins have undervoltage lock-out (UVLO) protection.

With all these advanced features, the UCC21231 device enables high efficiency, high power density, and robustness in a wide variety of power applications.
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* Data sheet UCC21231 4A Source, 6A Sink, High-Speed, Dual-Channel Isolated Gate Driver in Low-Profile SON Package datasheet PDF | HTML 2024/04/15
EVM User's guide UCC21231AEVM-108 Evaluation Module User's Guide (Rev. A) PDF | HTML 2024/04/26

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

UCC21231AEVM-108 — UCC21231A 평가 모듈

UCC21231AEVM-108은 UCC21231A 게이트 드라이버 평가 용도로 설계되었습니다. UCC21231A는 SiC 및 GaN 트랜지스터와 같은 Si MOSFET, IGBT 및 WBG 장치 구동용 4A 소스 및 6A 싱크 피크 전류를 지원하는 1.6kVrms 절연 듀얼 채널 게이트 드라이버입니다. 이 사용 설명서는 UCC21231A에 대한 완전한 평가 모듈 회로도 다이어그램, PCB(인쇄 회로 기판) 레이아웃, BOM, 테스트 설정 및 기능 설명을 제공합니다.
사용 설명서: PDF | HTML
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PSPICE-FOR-TI — TI 설계 및 시뮬레이션 툴용 PSpice®

TI용 PSpice®는 아날로그 회로의 기능을 평가하는 데 사용되는 설계 및 시뮬레이션 환경입니다. 완전한 기능을 갖춘 이 설계 및 시뮬레이션 제품군은 Cadence®의 아날로그 분석 엔진을 사용합니다. 무료로 제공되는 TI용 PSpice에는 아날로그 및 전력 포트폴리오뿐 아니라 아날로그 행동 모델에 이르기까지 업계에서 가장 방대한 모델 라이브러리 중 하나가 포함되어 있습니다.

TI 설계 및 시뮬레이션 환경용 PSpice는 기본 제공 라이브러리를 이용해 복잡한 혼합 신호 설계를 시뮬레이션할 수 있습니다. 레이아웃 및 제작에 (...)
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포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

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